1) Strain engineering
应变工程
1.
We conclude that,during the capping stage of the quantum dot,the strain is very critical for both the shape of the quantum dot and the optical characteristics;extension of the emission wavelength via quantum dot strain engineering is an effective means.
结果表明,在量子点加盖过程中,应变因素对其形貌和发光特性具有重要作用,以应变工程为基础的发射波长调控是拓展量子点波长发射范围的有效途径。
3) process induced strain
工艺过程应变
4) strain energy band engineering
应变能带工程
1.
The new trends in developing high power high frequency HFETs and device commercializing are emphasized,sum and up some problems in performance optimization and commercialization of GaN HFET such as two dimensional electric field and electron states,nanometer metal and dielectric layers,strain energy band engineering,and dielectric potential .
综述了GaNHFET研究中材料生长和工艺研究的新进展,介绍了器件向高频、大功率方向发展的现状及其应用前景,总结了优化器件性能和商品化问题中的二维场结构和电子态、纳米金属介质层、应变能带工程及介质势垒等重要课题。
5) Engineering equivalent strain
工程等效应变
6) ECN Engineering Change Notes
工程变更通知(供应商)
补充资料：工程应变
分子式：
CAS号：
性质：材料试样在外力作用下，试样的绝对形变量与原尺寸之比。通常用下式表示：ε=(l-l0)/l0。式中,ε为工程应变(简称应变)，l0与l分别表示试样形变前后的尺寸。如为拉伸应变，ε>0；压缩应变，ε<0。
CAS号：
性质：材料试样在外力作用下，试样的绝对形变量与原尺寸之比。通常用下式表示：ε=(l-l0)/l0。式中,ε为工程应变(简称应变)，l0与l分别表示试样形变前后的尺寸。如为拉伸应变，ε>0；压缩应变，ε<0。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条