DDR DIMM,DDR DIMM,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) DDR DIMM

DDR DIMM

Method for Detecting Device of DDR DIMM Interface Under Linux;

Linux下的DDR DIMM总线接口设备检测方法

Design of Optical Interconnection Network Adapter Based on DDR DIMM Bus for Cluster System;

机群系统DDR DIMM总线光互联网络适配器设计

2) DIMM

DIMM

The Factors Influencing the Seeing Measurement by the DIMM;

用DIMM测视宁度的几个问题

This paper proposed a design ideology of access based on DDR DIMM interface and presented a design of the network interface on FPGA.

本文提出了基于DDR DIMM内存总线的接入思想,采用可编程逻辑器件FPGA实现网络接口设计,通过直接读写内存方式提高并行接入带宽,并将部分通讯协议下载到网卡上以提高计算和通讯的速度。

3) DDR

DDR

Principle and Comparison of DDR and CR Image Technology;

DDR与CR成像技术的原理与对比

Comparison of Blue Film,Green Film and DDR in Limb Radiography;

蓝片绿片DDR在四肢X线摄影中的比较

Diagnostic value of direct digital radiography(DDR) with dual energy subtracti on in children′ s snoring disease caused by tonsil and adenoid vegetation;

DDR双能量减影在扁桃体、腺样增殖体所致儿童鼾症诊断中的临床应用

4) DDRII

DDRⅡ

5) DIMM-PC/520IU

DIMM-PC/520IU

In this paper,a video recording system which is based on MPEG-1 standards is designed and implemented,the system is composed of the embedded control module DIMM-PC/520IU and the video processing chip SZ1510.

文章介绍了基于嵌入式控制模块DIMM-PC/520IU和专用视频处理芯片SZ1510硬件平台的MPEG-1视频记录系统的设计和实现,讨论了总体原理和架构,阐述了核心硬件模块的设计和视频记录系统的软件设计。

6) DIMM-PC

DIMM-PC模块

参考词条

DDR-SDRAM DDR技术 DDR接口 DDR内存 DDR输入 DDR输出 DDR存储器 DDR控制器 DDR内存条 DDR读写 DDR链路 DDR存储 DDR SDRAM控制器 DDR-SDRAM控制器双向DDR传输 DDR存储系统 DDR分析软件中央厚度经济交易

补充资料：DDR2

DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和PostCAS。

OCD（Off-ChipDriver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDRII通过OCD可以提高信号的完整性。DDRII通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

PostCAS：它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（AdditiveLatency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（AdditiveLatency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) DDR DIMM DDR DIMM 1. Method for Detecting Device of DDR DIMM Interface Under Linux; Linux下的DDR DIMM总线接口设备检测方法 2. Design of Optical Interconnection Network Adapter Based on DDR DIMM Bus for Cluster System; 机群系统DDR DIMM总线光互联网络适配器设计 2) DIMM DIMM 1. The Factors Influencing the Seeing Measurement by the DIMM; 用DIMM测视宁度的几个问题 2. This paper proposed a design ideology of access based on DDR DIMM interface and presented a design of the network interface on FPGA. 本文提出了基于DDR DIMM内存总线的接入思想,采用可编程逻辑器件FPGA实现网络接口设计,通过直接读写内存方式提高并行接入带宽,并将部分通讯协议下载到网卡上以提高计算和通讯的速度。 3) DDR DDR 1. Principle and Comparison of DDR and CR Image Technology; DDR与CR成像技术的原理与对比 2. Comparison of Blue Film,Green Film and DDR in Limb Radiography; 蓝片绿片DDR在四肢X线摄影中的比较 3. Diagnostic value of direct digital radiography(DDR) with dual energy subtracti on in children′ s snoring disease caused by tonsil and adenoid vegetation; DDR双能量减影在扁桃体、腺样增殖体所致儿童鼾症诊断中的临床应用 4) DDRII DDRⅡ 5) DIMM-PC/520IU DIMM-PC/520IU 1. In this paper,a video recording system which is based on MPEG-1 standards is designed and implemented,the system is composed of the embedded control module DIMM-PC/520IU and the video processing chip SZ1510. 文章介绍了基于嵌入式控制模块DIMM-PC/520IU和专用视频处理芯片SZ1510硬件平台的MPEG-1视频记录系统的设计和实现,讨论了总体原理和架构,阐述了核心硬件模块的设计和视频记录系统的软件设计。 6) DIMM-PC DIMM-PC模块参考词条 DDR-SDRAM DDR技术 DDR接口 DDR内存 DDR输入 DDR输出 DDR存储器 DDR控制器 DDR内存条 DDR读写 DDR链路 DDR存储 DDR SDRAM控制器 DDR-SDRAM控制器双向DDR传输 DDR存储系统 DDR分析软件中央厚度经济交易补充资料：DDR2 DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2与DDR的区别： 1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和PostCAS。 OCD（Off-ChipDriver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDRII通过OCD可以提高信号的完整性。DDRII通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 PostCAS：它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（AdditiveLatency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（AdditiveLatency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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