1) mesoscopic electron resonator
介观电子谐振腔
1.
Quantum effect of mesoscopic electron resonator under the eigenstate of ladder operator;
阶梯算符本征态下介观电子谐振腔的量子效应
2.
On the basis of charge discreteness,the properties of quantum current in a mesoscopic electron resonator are investigated by the minimum shift operator.
基于电荷的离散性,运用最小平移算符的性质,研究介观电子谐振腔中量子电流的性质,给出量子Kirch-hoff方程、量子电流关系式以及电流的量子涨落。
2) mesoscopic electron resonator with linear dissipation
耗散介观电子谐振腔
1.
On the basis of the charge discreteness,the mesoscopic electron resonator with linear dissipation is quantized.
基于电荷离散化的事实,实现对耗散介观电子谐振腔的量子化。
4) resonator-tron
谐振电子管，谐腔四极管
5) dielectric resonance
介电谐振
1.
In this paper,mechanical and dielectric parameters of virgin PP cellular film(type PQ50) were analyzed by dielectric resonance spectroscopy,and piezoelectric d \{33\} coefficient of 18pC/N was measured.
利用介电谐振谱分析了聚丙烯蜂窝状原生膜 (PPCellular,PQ5 0型 )的力学及介电参数 ,测得其压电系数d33约为 18pC N 。
2.
In this paper,the thermal stability of piezoelectricity and electromechanical properties were studied by measuring the isothermal decay of piezoelectric d_(33)-coefficient and thermally stimulated discharge (TSD) current and analyzing dielectric resonance spectroscopy for the virginal and chemically modified cellular polypropylene (PP) films expanded and heat treated under the same conditions.
通过压电 d_(33)系数等温衰减测量、热刺激放电 (TSD)技术及介电谐振谱分析,研究了孔洞 PP 原膜及其化学改性膜在经历相同的压力膨化和热处理工艺后的压电热稳定性和机电性能。
6) microwave dielectric resonator
微波介质谐振腔
1.
In this paper, a simple design of microwave dielectric resonator and calculation of performance parameter is instroduced.
介绍了一种简单的微波介质谐振腔的设计及性能参数的计算方法,给出了相对介电常数ε_r、介质损耗tan δ的详细求解方程,为微波介质陶瓷性能参数的测量提供了一种简单而有效的方法。
补充资料：电磁谐振腔
| 电磁谐振腔 electromagnetic resonant cavity 微波波段的谐振电路。通常在波导的两端用导电板短路而构成的封闭腔体 。电磁场被限制在腔内，没有辐 射损耗，谐振腔的品质因数Q值较高。随着谐振频率的提高，要求腔体的尺寸减小 ，致使损耗加大 ，Q 值下降，所以在毫米波、亚毫米波还采用开放腔。在理想的无耗谐振腔内，任何电磁扰动一旦发生就永不停歇。当扰动频率恰使腔内的平均电能和平均磁能相等时便发生谐振，这个频率称为谐振频率。腔内的电磁场可根据腔的边界条件求解麦克斯韦方程组而得出，它是一组具有一定正交性的电磁场模式的叠加。按波导两端被短路的观点，腔内的电磁场也可认为是波在腔壁上来回反射而形成的驻波场。当腔长等于某种模式的1／2波导波长整数倍时，该模式发生谐振，称为谐振模。谐振腔和外电路的能量耦合方式有：环耦合、探针耦合和孔耦合。谐振腔的主要参数是谐振频率f 和品质因数Q。谐振频率决定于腔的形状、尺寸和工作模式。谐振腔的有载品质因数Q由谐振腔的内部损耗和外部损耗决定。内部损耗取决于腔壁导体的损耗和腔内介质的损耗，外部损耗取决于通过耦合元件反映的外电路负载情况。 |
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参考词条