1) energy trapping
能陷
1.
The design of mesa on crystal plate is provided to solve the problem that the energy trapping is not good enough.
0对石英晶体微天平进行三维建模,验证了建模的正确性,并对不同电极结构尺寸进行仿真计算,对出现的耦合情况进行了分析,通过实验结果对比,提出较佳电极尺寸结构为厚度100 nm,半径3 mm;为解决金电极能陷效应不够理想的问题,提出在晶片上下表面筑平台的设计,有限元计算结果表明此设计能改善电极区的能陷效应,并且较佳平台高度为9。
2) self-trapping energy
自陷能
1.
The self-trapping energy and the induced potential of the exciton are derived.
采用线性组合算符和变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算。
2.
Based on model of Huybrechts strong-coupling polaron,the ground state energy of the system,in which the excitons interact with both the weak-coupling bulk longitudinal-optical(LO) phonons and strong-coupling interface-optical(IO) phonons in a polar crystal,is studied by using the Lee-Low-Pines variational method,the self-trapping energy and the induced potential of the excitons are derived.
在Huybrechts关于强耦合极化子的模型基础上,采用LLP变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算,结果表明,激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关,而且电子-空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著;激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离ρ有关,而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著。
3.
Here influences of electron spin on the magnetic field properties of self-trapping energy E_(tr) of the surface magnetopolaron in a semi-infinite crystal,weak coupling with bulk longitudinal optical phonons and strong coupling with surface longitudinal optical phonons,is studied by using unitary transformation,a linear combination operator and perturbation methods.
应用么正变换、线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对电子与表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子自陷能Etr磁场特性的影响。
3) trap level
陷阱能级
1.
The results indicate that Eu2+ ions act luminescent centers and Dy3+ ions as trap levels.
研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级。
4) defect energy level
缺陷能级
1.
When there is a vacancy in the SLS,defect energy level will form in the E_g.
由计算结果分析了GaN/AlN应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键情况及其带隙Eg随超晶格层数n的变化趋势;当超晶格中存在空位时,带隙中将形成缺陷能级。
5) self trapping energy
自陷能
1.
An expressions for the self trapping energy of the surface magnetopolaron as a function of the depth from the crystal surface, magnetic field and temperature were derived by using Huybrechts' linear combination operator and variational method.
采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 。
2.
The self trapping energy of the polaron was obtained as functions of the slab thickness and the coupling constants.
采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法，研究了极性晶体膜内电子与体纵光学声子弱耦合、与表面光学声子强耦合系统的基态能量，得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能，对ＫＣｌ晶体进行了数值计算，结果表明，不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献大不相
3.
The law of the change of the self trapping energy of the magnetopolaron changing with the thickness of the slab and magnetic fields are derived.
本文采用线性组合算符法和变分法，研究了磁场中极性晶体膜内电子与表面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合系统的基态能量，得到了磁极化子自陷能随膜厚和磁场强度变化的规律，计算了不同支声子与电子相互作用对磁极化子自陷能的贡献以及随磁场的变化。
6) defect levels
缺陷能级
1.
The defect levels in Hg 1 x Cd x Te( x =0.
６）ｎ＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０。
补充资料：抗肾上腺素能神经药、去甲肾上腺素能神经阻滞药
分子式：
CAS号：
性质：又称抗肾上腺素能神经药、去甲肾上腺素能神经阻滞药。指一类通过影响递质去甲肾上腺素在去甲肾上腺素能神经末梢的贮存，产生拮抗去甲肾上腺素能神经作用的药物。与抗肾上腺素药比较，二者作用相似但作用部位不同，抗肾上腺素药作用于效应器细胞的受体，而肾上腺素神经阻滞药作用于去甲肾上腺素能神经末梢。代表药为利血平，主要用于高血压病、因长期用药物偶致抑郁症，目前已很少用。
CAS号：
性质：又称抗肾上腺素能神经药、去甲肾上腺素能神经阻滞药。指一类通过影响递质去甲肾上腺素在去甲肾上腺素能神经末梢的贮存，产生拮抗去甲肾上腺素能神经作用的药物。与抗肾上腺素药比较，二者作用相似但作用部位不同，抗肾上腺素药作用于效应器细胞的受体，而肾上腺素神经阻滞药作用于去甲肾上腺素能神经末梢。代表药为利血平，主要用于高血压病、因长期用药物偶致抑郁症，目前已很少用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条