1) 532 nm CW laser
532 nm连续激光
1.
An experiment was designed to study 532 nm CW laser radiation on Si-doped n-type GaAs materials.
利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为<100>偏<111A>方向15°。
3) varible pulsed 532nm laser
可调脉宽532激光
4) 532model
532模型
5) 830?nm laser
830 nm激光
6) 1341.4 nm laser
1341.4 nm激光
补充资料：polycizer 532
CAS：119-07-3
分子式：C26H42O4
分子质量：418.61
中文名称：1,2-苯二甲酸癸基辛基酯
英文名称：1,2-Benzenedicarboxylic acid, decyl octyl ester；phthalic acid, decyl octyl ester；decyl octyl 1,2-benzenedicarboxylate；decyl octyl phthalate；dinopol 235；n-decyl n-octyl phthalate；n-octyl n-decyl phthalate；octyl decyl phthalate；polycizer 532；Octyl,decyl phthalate
分子式：C26H42O4
分子质量：418.61
中文名称：1,2-苯二甲酸癸基辛基酯
英文名称：1,2-Benzenedicarboxylic acid, decyl octyl ester；phthalic acid, decyl octyl ester；decyl octyl 1,2-benzenedicarboxylate；decyl octyl phthalate；dinopol 235；n-decyl n-octyl phthalate；n-octyl n-decyl phthalate；octyl decyl phthalate；polycizer 532；Octyl,decyl phthalate
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条