1) processing compatibility
工艺兼容性
1.
The fabrication processing compatibility was investigated and lead free application test have been performed with HDI sample board, as well as relevant thermal resistance test.
文章采用不同型号的RC(C涂树脂铜箔)和不同型号的FR-4基板制作了不同材料组成的四层HDI板,考察了制作工艺的兼容性,对HDI样板进行了无铅化应用测试及相关耐热性测试,结果表明采用不同材料组成制作的四层HDI板表现良好的工艺兼容性,同时成品HDI样板具有优异的无铅焊测试可靠性,能够满足无铅焊应用要求。
2) compatible technology
兼容工艺
1.
As a result,the integration of HVCMOS and low-voltage CMOS(LVCMOS) is realized,and the high voltage compatible technology can be used .
此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路 。
3) compatibility with Si process
Si兼容工艺
1.
We have conducted researches on Si/SiGe/Si HBT and its compatibility with Si process.
我们对 Si/Si Ge/Si HBT及其 Si兼容工艺进行了研究 ,在研究了一些关键的单项工艺的基础上 ,提出了五个高速 Si/Si Ge/Si HBT结构和一个低噪声 Si/Si Ge/Si HBT结构 ,并已研制成功台面结构 Si/Si Ge/Si HBT和低噪声 Si/Si Ge/Si HBT,为进一步高指标的 Si/Si Ge/Si HBT的研究建立了基
4) MEMS fabrication process
MEMS兼容工艺
5) CMOS-compatible technology
CMOS兼容工艺
6) embedded manufacture technology
工艺兼容技术
补充资料:电磁兼容性
电子系统或设备以规定的安全系数在指定的电磁环境中按照设计要求工作的能力,为电子系统的重要指标之一。电磁兼容性的含义包括两个方面:①电子系统或设备之间在电磁环境中的相互兼顾;②电子系统或设备在自然界电磁环境中,按照设计要求能正常工作。
电磁兼容性研究是随着电子技术逐步向高频、高速、高精度、高可靠性、高灵敏度、高密度(小型化、大规模集成化)、大功率、小信号运用、复杂化等方面发展的需要而出现的。特别是在人造地球卫星、导弹、计算机和潜艇中大量采用现代电子技术,使电磁兼容问题尤为突出。有些国家成立了专门机构对此进行管理,并制定了相应的规范,一切电子设备必需经过这些专门机构的鉴定和批准方能进入市场。
在进行电磁兼容性设计时要求:①明确系统的电磁兼容性指标。电磁兼容性设计包括:本系统在多强的电磁干扰环境中应能正常工作;本系统干扰其他系统的允许指标。②在了解本系统干扰源、被干扰对象、干扰的耦合途径的基础上,通过理论分析将这些指标逐级地分配到各分系统、子系统、电路和元件、器件上。③根据实际情况,采取相应措施抑制干扰源,消除干扰耦合途径,提高电路的抗干扰能力。④通过实验来验证是否达到了原定的指标要求,如果没有达到则进一步采取措施,循环多次,直至最后达到原定指标为止。
电磁干扰源分为自然的和人为的两种。自然干扰源主要是雷电、太阳或宇宙辐射等。人为干扰源是多种多样的,如各种信号发射机、振荡器、电动机、开关、继电器、氖灯、荧光灯、发动机点火系统、电铃、电热器、电弧焊接机、高速逻辑电路、门电路、可控硅逆变器、气体整流器、电晕放电,以及核爆炸产生的核电磁脉冲等。
干扰的耦合途径分为传导和辐射两种。①传导:干扰电压或电流通过干扰源和被干扰对象之间的公共阻抗进入被干扰对象。公共阻抗通常是干扰频率的函数。有时干扰通过导线直接传导到电路。②辐射:在干扰电磁场中,磁场通过电感应耦合、电场通过电容性耦合而进入电路中。环状金属导体主要是磁场耦合,线状金属导体主要是电场耦合。因此,要减少耦合程度就要在布线或金属结构设计中尽量减小环状导体包含的面积和线状导体的长度。
提高电磁兼容性的具体措施是:①使用完善的屏蔽体可防止外部辐射进入本系统,也可防止本系统的干扰能量辐射到外部去。主要困难是对低频磁场的屏蔽。屏蔽体应保持完整性,对必不可少的门、缝、通风孔和电缆孔等须妥善处理。屏蔽体须可靠接地才能发挥作用。②设计合理的接地系统,小信号、大信号和产生干扰的电路三部分尽量分开接地,接地电阻尽可能小。③使用合适的滤波技术,滤波器的通带经过合理选择,尽量减小漏电损耗。滤波技术比屏蔽技术的成本低,而且产品体积小、重量轻。④使用限幅技术,限幅电平应高于工作电平,并且应双向限幅。选择分流电阻大的器件,反应时间应当短,寄生电容要小。⑤正确选用连接电缆和布线方式,低频电路尽量采用双扭绞线,高频电路尽量采用双同轴屏蔽电缆。尽量用光缆代替长电缆。⑥采用平衡差动电路、整形电路、积分电路和选通电路等技术。⑦系统频率分配恰当。当一个系统中有多个主频率信号工作时,尽量使各信号频率避开,甚至避开对方的谐波频率。这实际上是频率区分。选用这种方法时须在价格、重量、体积、性能等几方面综合考虑。
电磁兼容性研究是随着电子技术逐步向高频、高速、高精度、高可靠性、高灵敏度、高密度(小型化、大规模集成化)、大功率、小信号运用、复杂化等方面发展的需要而出现的。特别是在人造地球卫星、导弹、计算机和潜艇中大量采用现代电子技术,使电磁兼容问题尤为突出。有些国家成立了专门机构对此进行管理,并制定了相应的规范,一切电子设备必需经过这些专门机构的鉴定和批准方能进入市场。
在进行电磁兼容性设计时要求:①明确系统的电磁兼容性指标。电磁兼容性设计包括:本系统在多强的电磁干扰环境中应能正常工作;本系统干扰其他系统的允许指标。②在了解本系统干扰源、被干扰对象、干扰的耦合途径的基础上,通过理论分析将这些指标逐级地分配到各分系统、子系统、电路和元件、器件上。③根据实际情况,采取相应措施抑制干扰源,消除干扰耦合途径,提高电路的抗干扰能力。④通过实验来验证是否达到了原定的指标要求,如果没有达到则进一步采取措施,循环多次,直至最后达到原定指标为止。
电磁干扰源分为自然的和人为的两种。自然干扰源主要是雷电、太阳或宇宙辐射等。人为干扰源是多种多样的,如各种信号发射机、振荡器、电动机、开关、继电器、氖灯、荧光灯、发动机点火系统、电铃、电热器、电弧焊接机、高速逻辑电路、门电路、可控硅逆变器、气体整流器、电晕放电,以及核爆炸产生的核电磁脉冲等。
干扰的耦合途径分为传导和辐射两种。①传导:干扰电压或电流通过干扰源和被干扰对象之间的公共阻抗进入被干扰对象。公共阻抗通常是干扰频率的函数。有时干扰通过导线直接传导到电路。②辐射:在干扰电磁场中,磁场通过电感应耦合、电场通过电容性耦合而进入电路中。环状金属导体主要是磁场耦合,线状金属导体主要是电场耦合。因此,要减少耦合程度就要在布线或金属结构设计中尽量减小环状导体包含的面积和线状导体的长度。
提高电磁兼容性的具体措施是:①使用完善的屏蔽体可防止外部辐射进入本系统,也可防止本系统的干扰能量辐射到外部去。主要困难是对低频磁场的屏蔽。屏蔽体应保持完整性,对必不可少的门、缝、通风孔和电缆孔等须妥善处理。屏蔽体须可靠接地才能发挥作用。②设计合理的接地系统,小信号、大信号和产生干扰的电路三部分尽量分开接地,接地电阻尽可能小。③使用合适的滤波技术,滤波器的通带经过合理选择,尽量减小漏电损耗。滤波技术比屏蔽技术的成本低,而且产品体积小、重量轻。④使用限幅技术,限幅电平应高于工作电平,并且应双向限幅。选择分流电阻大的器件,反应时间应当短,寄生电容要小。⑤正确选用连接电缆和布线方式,低频电路尽量采用双扭绞线,高频电路尽量采用双同轴屏蔽电缆。尽量用光缆代替长电缆。⑥采用平衡差动电路、整形电路、积分电路和选通电路等技术。⑦系统频率分配恰当。当一个系统中有多个主频率信号工作时,尽量使各信号频率避开,甚至避开对方的谐波频率。这实际上是频率区分。选用这种方法时须在价格、重量、体积、性能等几方面综合考虑。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条