1) partially depleted
部分耗尽
1.
Total dose irradiation effects of partially depleted SOI MOSFETs are studied under 10keV X-ray exposure.
采用10keVX射线研究了部分耗尽SOIMOSFETs的总剂量辐射效应。
2.
The partially depleted CMOS/SOI device and circuit with channel length of 0.
同时 ,对部分耗尽 SOI器件特性 ,如“浮体”效应、“kink”效应和反常亚阈值特性进行了讨
2) PDSOI
部分耗尽SOI
1.
The first domestic total dose hardened 2μm partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI)CMOS 3-line to 8-line decoder fabricated in SIMOX is demonstrated.
报道了一种制作在SIMOX晶圆之上的总计量加固的2μm部分耗尽SOI CMOS 3线—8线译码器电路,其辐照特性由晶体管的阈值电压、电路的静态泄漏电流以及电流电压特性曲线表征。
2.
2μm partially depleted silicon-on-insulator (PDSOI) 64k SRAM fabricated in SIMOX is demonstrated.
2μm部分耗尽SOI64k静态随机存储器的抗总剂量能力达到了1×106rad(Si) ,其使用了SI MOX晶圆。
3.
Test results show that such devices have good performance in delaying the occurrence of the “kink” phenomenon and improving the breakdown voltage as compared to conventional PDSOI nMOSFETs,while not decreasing the threshold voltage of the back gate obviously.
制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOInMOSFETs。
3) partially depleted (PD)
部分耗尽(PD)
4) AC PD SOI MOSFETs
AC部分耗尽SOI MOSFETs
5) partial-depleted SOI
部分耗尽型SOI
6) partially depleted SOI MOSFETs
部分耗尽SOI MOSFETs
补充资料：耗尽
1.消减净尽。 2.用完。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条