1) voltage offset
偏压值
1.
A study of voltage offset influence on nanometer lithography;
偏压值对纳米刻蚀影响的研究
2) Allowance of Voltage Windage
电压偏差允许值
3) bias
[英]['baɪəs] [美]['baɪəs]
偏置;偏压
4) bias
[英]['baɪəs] [美]['baɪəs]
偏斜;偏压
5) Bias voltage
偏压
1.
Influence of bias voltage on morphology,phase and wear performance of magnetron sputtered CrTiAlN coatings;
偏压对CrTiAlN镀层组织形貌及磨损性能的影响
2.
Effect of bias voltage on morphology and performance of magnetron sputter ion plating graphite-like carbon coatings;
磁控溅射离子镀基体偏压对类石墨碳膜组织形貌及性能的影响
3.
Effect of bias voltage on the formation of CN_x films in hollow cathode type discharge plasma sputtering techniques;
偏压对空心阴极放电等离子体溅射制备氮化碳薄膜的影响
6) bias
[英]['baɪəs] [美]['baɪəs]
偏压
1.
Effect of bias on composition and microstructure of Zr-Si-N diffusion barrier;
磁控溅射偏压对Zr-Si-N扩散阻挡层组织结构的影响
2.
The Effect of Working Gas and Bias on Preparation of Fe containing Polymer Composite Films;
工作气氛和偏压对含铁聚合物杂混薄膜制备的影响
3.
Effect of bias on texture growth of MPCVD diamond films;
偏压对MPCVD金刚石薄膜织构生长的影响
补充资料：力学量的可能值和期待值
在量子力学中，力学量F用作用于波函数上的算符弲表示。在数学上，对于一个算符，满足
的函数 ui(r)称为弲的本征函数，式中Fi是与r无关的数,称为本征值。如果ui(r)描写微观粒子的状态,则它必须满足单值、连续和有限的标准条件。在这种限制之下，上式中的本征值可以取一系列分立值，或取一定范围内的连续数值。
在测量力学量F时,观察到的只能是它的本征值。若一个力学量的本征值具有分立谱，我们说这个力学量是量子化的。
量子力学中假定力学量的全部本征函数组成一个完全系；这意思是说：描写体系的任一状态的波函数ψ都可以用力学量的本征函数ui展开：
在ψ和ui都是归一化的情况下，上式中的展开系数сi具有如下的物理意义：在ψ态中测量力学量时,得到结果为Fi的几率是|сi|2。
因此，若微观粒子的定态波函数是某力学量算符的本征函数ui(r),则在这一状态中,力学量F取确定值Fi。
在ψ态中对力学量进行多次测量,把所得结果加以平均，就得出力学量在ψ态中的期待值，以〈F〉表示：
上式称为力学量的期待值公式。如果ψ不是归一化的，那么期待值公式应写为
的函数 ui(r)称为弲的本征函数，式中Fi是与r无关的数,称为本征值。如果ui(r)描写微观粒子的状态,则它必须满足单值、连续和有限的标准条件。在这种限制之下，上式中的本征值可以取一系列分立值，或取一定范围内的连续数值。
在测量力学量F时,观察到的只能是它的本征值。若一个力学量的本征值具有分立谱，我们说这个力学量是量子化的。
量子力学中假定力学量的全部本征函数组成一个完全系；这意思是说：描写体系的任一状态的波函数ψ都可以用力学量的本征函数ui展开：
在ψ和ui都是归一化的情况下，上式中的展开系数сi具有如下的物理意义：在ψ态中测量力学量时,得到结果为Fi的几率是|сi|2。
因此，若微观粒子的定态波函数是某力学量算符的本征函数ui(r),则在这一状态中,力学量F取确定值Fi。
在ψ态中对力学量进行多次测量,把所得结果加以平均，就得出力学量在ψ态中的期待值，以〈F〉表示：
上式称为力学量的期待值公式。如果ψ不是归一化的，那么期待值公式应写为
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条