2) voltage controlled oscillator
压控振荡器
1.
By using a ring voltage controlled oscillator(VCO),chip area and production cost were saved.
通过采用环行压控振荡器,节省了芯片面积和成本。
2.
This paper presents the design and the experimental measurements of two CMOS LC-tuned voltage controlled oscillators (VCO) implemented in a 0.
18μm 6层金属混合信号 /射频CMOS工艺设计的 2个LC谐振压控振荡器及测试结果 ,并给出了优化设计的方法和步骤 。
3.
The voltage controlled oscillator has used the str.
这种锁相频率合成器的各个部件都进行了优化设计,其中鉴相器采用了加入反相器链取出输入信号边沿的结构很好的消除了鉴相死区;电荷泵采用了差分电路结构消除了跳跃现象;压控振荡器采用了电流模驱动延迟环结构得到了优良的性能;尤其是分频器的设计采用了内、外两分频器的结构,通过改变两个分频器的倍频数N和M的值,可以合成多种时钟频率。
3) VCO
压控振荡器
1.
Design of a 1.8GHz Wide-Band,Low-Phase-Noise CMOS VCO;
1.8GHz宽带低相位噪声CMOS压控振荡器设计
2.
Design of low phase-noise, wide band LC VCO;
低相位噪声、宽调谐范围LC压控振荡器设计
4) voltage-controlled oscillator
压控振荡器
1.
Design of a voltage-controlled oscillator based on MOS capacitance;
基于MOS电容的压控振荡器设计
2.
CMOS voltage-controlled oscillator with automatic amplitude control;
具有自动振幅控制的CMOS压控振荡器
3.
A 5GHz voltage-controlled oscillator with 5-bit calibration;
一种提供5位频带切换控制的5GHz压控振荡器
5) voltage controlled oscillator (VCO)
压控振荡器
1.
A scheme of a frequency-hopping frequency-synthesizer applied to a Bluetooth ratio frequency (RF) front-end is presented,and design of a voltage controlled oscillator (VCO) and dual-modulus prescaler are focused on.
提出了应用于蓝牙射频前端的跳频频率综合器的设计方案,并介绍了关键模块压控振荡器与双模预分频器的设计技术,采用混合0·18μmCMOS工艺进行了流片验证。
2.
A novel voltage controlled oscillator (VCO) based on the combination of Resonant Tunneling Diode(RTD) of negative differential resistance (NDR) with MOSFET is proposed in this paper.
提出了一种基于负阻器件共振隧穿二极管(RTD)与MOSFET结合的新型压控振荡器(VCO),并利用了高级设计系统(ADS)软件对该振荡器的可行性进行了电路仿真,利用分立RTD、MOSFET器件实现了此种VCO,实际调频范围在20～26 MHz之间。
6) voltage controlled oscillator(VCO)
压控振荡器
1.
A 2 GHz LC voltage controlled oscillator(VCO) based on micromachined variable capacitor and bonding wire inductors is demonstrated in this paper.
报道了一种中心频率为2GHz的电感电容(LC)压控振荡器,其谐振回路由微机械可变电容和键合线电感构成。
2.
A wideband LC cross-coupled voltage controlled oscillator(VCO)is designed and realized with standard 0.
18μm CMOS工艺设计并实现了宽带交叉耦合LC压控振荡器。
3.
As a key part of PLL,voltage controlled oscillator(VCO) and frequecy divider circuit was mainly analyzed and designed.
重点分析和设计了锁相环(PPL)中核心器件压控振荡器(VCO)和频率分频器两个高频电路,其中,压控振荡器采用交叉耦合的LC振荡器结构以减少相位噪声和面积,频率分频器采用增强型的移相技术,以提高工作频率和稳定性。
补充资料：压控振荡器
指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路(VCO)。其特性用输出角频率ω0与输入控制电压uc之间的关系曲线(图1)来表示。图中,uc为零时的角频率ω0,0称为自由振荡角频率；曲线在ω0,0处的斜率K0称为控制灵敏度。使振荡器的工作状态或振荡回路的元件参数受输入控制电压的控制，就可构成一个压控振荡器。在通信或测量仪器中，输入控制电压是欲传输或欲测量的信号（调制信号）。人们通常把压控振荡器称为调频器，用以产生调频信号。在自动频率控制环路和锁相环环路中，输入控制电压是误差信号电压，压控振荡器是环路中的一个受控部件。
压控振荡器的类型有LC压控振荡器、RC压控振荡器和晶体压控振荡器。对压控振荡器的技术要求主要有：频率稳定度好，控制灵敏度高，调频范围宽，频偏与控制电压成线性关系并宜于集成等。晶体压控振荡器的频率稳定度高，但调频范围窄，RC压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽，LC压控振荡器居二者之间。
LC压控振荡器 在任何一种LC振荡器中，将压控可变电抗元件插入振荡回路就可形成LC压控振荡器。早期的压控可变电抗元件是电抗管，后来大都使用变容二极管。图 2是克拉泼型LC压控振荡器的原理电路。图中，T为晶体管，L为回路电感，C1、C2、Cv为回路电容,Cv为变容二极管反向偏置时呈现出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。当输入控制电压uc改变时，Cv随之变化，因而改变振荡频率。这种压控振荡器的输出频率与输入控制电压之间的关系为
式中C0是零反向偏压时变容二极管的电容量；φ 是变容二极管的结电压；γ 是结电容变化指数。为了得到线性控制特性，可以采取各种补偿措施。
RC压控振荡器 在单片集成电路中常用RC压控多谐振荡器（见调频器）。
晶体压控振荡器 在用石英晶体稳频的振荡器中，把变容二极管和石英晶体相串接，就可形成晶体压控振荡器。为了扩大调频范围，石英晶体可用AT切割和取用其基频率的石英晶体，在电路上还可采用展宽调频范围的变换网络。
在微波频段，用反射极电压控制频率的反射速调管振荡器和用阳极电压控制频率的磁控管振荡器等也都属于压控振荡器的性质。压控振荡器的应用范围很广。集成化是重要的发展方向。石英晶体压控振荡器中频率稳定度和调频范围之间的矛盾也有待于解决。随着深空通信的发展，将需要内部噪声电平极低的压控振荡器。
压控振荡器的类型有LC压控振荡器、RC压控振荡器和晶体压控振荡器。对压控振荡器的技术要求主要有：频率稳定度好，控制灵敏度高，调频范围宽，频偏与控制电压成线性关系并宜于集成等。晶体压控振荡器的频率稳定度高，但调频范围窄，RC压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽，LC压控振荡器居二者之间。
LC压控振荡器 在任何一种LC振荡器中，将压控可变电抗元件插入振荡回路就可形成LC压控振荡器。早期的压控可变电抗元件是电抗管，后来大都使用变容二极管。图 2是克拉泼型LC压控振荡器的原理电路。图中，T为晶体管，L为回路电感，C1、C2、Cv为回路电容,Cv为变容二极管反向偏置时呈现出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。当输入控制电压uc改变时，Cv随之变化，因而改变振荡频率。这种压控振荡器的输出频率与输入控制电压之间的关系为
式中C0是零反向偏压时变容二极管的电容量；φ 是变容二极管的结电压；γ 是结电容变化指数。为了得到线性控制特性，可以采取各种补偿措施。
RC压控振荡器 在单片集成电路中常用RC压控多谐振荡器（见调频器）。
晶体压控振荡器 在用石英晶体稳频的振荡器中，把变容二极管和石英晶体相串接，就可形成晶体压控振荡器。为了扩大调频范围，石英晶体可用AT切割和取用其基频率的石英晶体，在电路上还可采用展宽调频范围的变换网络。
在微波频段，用反射极电压控制频率的反射速调管振荡器和用阳极电压控制频率的磁控管振荡器等也都属于压控振荡器的性质。压控振荡器的应用范围很广。集成化是重要的发展方向。石英晶体压控振荡器中频率稳定度和调频范围之间的矛盾也有待于解决。随着深空通信的发展，将需要内部噪声电平极低的压控振荡器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条