1) double-gate pure-base
双栅纯基
2) double-gate impure-base
双栅不纯基
3) double-gate impure-base theory
双栅不纯基理论
4) single-gate impure-base
单栅不纯基
5) double-gate
双栅
1.
Transient characteristic analysis of a CMOS circuit based on a double-gate dual-strained channel SOI MOSFET with the effective gate length scaling down to 25nm is presented.
在提出双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性。
2.
A novel fully-depleted SOI device structure with a double-gate and dual-strained channel is presented.
提出了一种全新的器件结构——双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性。
3.
The bipolar theory of field-effect transistor is introduced to replace the 55-year-old classic unipolar theory invented by Shockley in 1952 in order to account for the characteristics observed in recent double-gate nanometer silicon MOS field-effect transistors.
解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性——两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存。
6) double recessive gene homozygote(susushsh)
双隐性基因纯合体
补充资料：(Z)-2-丁烯酸双[2,2-双[(2-丙烯氧基)甲基]丁基]酯
CAS：70636-59-8
中文名称：(Z)-2-丁烯酸双[2,2-双[(2-丙烯氧基)甲基]丁基]酯
英文名称：2-Butenoic acid (Z)-, bis-[2,2-bis-[(2-propenyloxy) methyl] butyl] ester
中文名称：(Z)-2-丁烯酸双[2,2-双[(2-丙烯氧基)甲基]丁基]酯
英文名称：2-Butenoic acid (Z)-, bis-[2,2-bis-[(2-propenyloxy) methyl] butyl] ester
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条