1) temperature coefficient(TC)
温度系数(TC)
2) Curie temperature(T_c)
Curie温度(Tc)
3) curie temperature T c
Curie温度Tc
4) colorimeter temperature
Tc比色温度
1.
Modification of colorimeter temperature is expounded.
简要介绍一种微处理器控制的红外点测温方法及系统结构 ,重点阐述双色测温Tc比色温度的修正方法 ,用计算机给出了一组多项式和指数方程的发射率仿真修正数据 ,从而实现物体温度的高精度检
5) critical temperature(T_c)
临界温度(Tc)
6) T_C
居里温度(TC)
1.
Compared with GaN:Mn,p-type co-doped(GaN:Mn-Mg\Zn)systems exhibit more stable ferromagnetic state and a significant increase in T_C.
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC)。
2.
Compared with GaN:Mn,GaN:Mn-Mg exhibits a significant increase in T_C,while the 1.
与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1。
补充资料：电容温度系数
分子式：
CAS号：
性质：在给定温度下，温度每变化1℃时，电容的变化数值与该温度下的标称电容的比值。其表达式为：αc=(式中：αc为电容温度系数，C为给定温度下的标称电容，dC为当温度变化dt时电容的变化值，dt为温度的变化值)。如在某温度范围内，则电容量的平均温度系数的表达式为：(式中C为电容量；Δt为温度变化值，ΔC为温度变化Δt时电容量的变化值)。电容温度系数是电容器陶瓷、微波陶瓷等材料的重要的电性能指标之一。
CAS号：
性质：在给定温度下，温度每变化1℃时，电容的变化数值与该温度下的标称电容的比值。其表达式为：αc=(式中：αc为电容温度系数，C为给定温度下的标称电容，dC为当温度变化dt时电容的变化值，dt为温度的变化值)。如在某温度范围内，则电容量的平均温度系数的表达式为：(式中C为电容量；Δt为温度变化值，ΔC为温度变化Δt时电容量的变化值)。电容温度系数是电容器陶瓷、微波陶瓷等材料的重要的电性能指标之一。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条