1) process variations
工艺偏差
1.
However,complex nano-technology such as sub-wavelength lithography and chemical-mechanical polishing will cause more and more large process variations and therefore seriously deteriorate the yield.
这主要是由于严重的工艺偏差将造成芯片中的关键路径时延呈现显著的非高斯随机分布,从而造成芯片的时序失败概率快速上升。
2) on chip variation
片上工艺偏差
1.
When IC design goes into the Deep Sub-micrometer era,timing signoff uncertainty due to on chip variation becomes more and more important.
当芯片设计进入深亚微米,片上工艺偏差(OCV)造成的时序不确定性,成为超大规模集成电路时序收敛中的关键问题,单纯使用传统时序分析方法,已不能完全达到时序收敛的要求。
3) process calibration
工艺偏差校准
1.
This paper reports on the design and realization of a temperature compensation and process calibration 60MHz on-chip CMOS clock oscillator in SMIC 0.
18μm1P6M的标准CMOS工艺,设计并实现了一种带温度补偿和工艺偏差校准的60MHz片上CMOS时钟振荡器。
5) processing deviations
加工偏差
6) construction error
施工偏差
1.
Stochastic carbonation durability analysis of pre-stressed concrete structure regarding construction error of concrete cover;
基于保护层施工偏差的预应力混凝土结构碳化耐久性研究
2.
The influence of construction error such as vertical deviation of column etc,are frequently met in construction.
超高层钢结构安装过程中的柱身垂偏等施工偏差对结构性能的影响程度是工程中经常遇到的问题。
补充资料：采气工艺(见天然气开采工艺)
采气工艺(见天然气开采工艺)
gas production technology
，一‘J\匕乙吕天然气开采工艺pro以uetionteehnology)见
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条