1) As2S8 chalcogenide semiconductor film
As2S8半导体薄膜
2) amorphous As_2S_8 semiconductor films
非晶态As2S8半导体薄膜
1.
Research and application of photoinduced phenomena of amorphous As_2S_8 semiconductor films;
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在紫外汞灯和He_Cd激光照射下的光诱导现象,证实了光照射后的As2S8薄膜的折射率增大,体积缩小,可见光吸收谱的吸收带蓝移。
3) As2S8 film waveguide
As2S8薄膜波导
5) Semiconductor film
半导体薄膜
1.
The process characteristics of growth of semiconductor film are analyzed.
文章分析了半导体薄膜生长工艺流程的特点。
6) semiconductor thin film
半导体薄膜
1.
This paper shows the general characteristics of the photoelectfochemical oscillating behaviours of electrodeposited semiconductor thin films CuInSe2, AgInSe2, AuInSe2 during H2O2 cathodic reduction.
对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究。
2.
In this paper, I studied the present methods for analyzing the optical parameters of thin film purposively to solve the problem of semiconductor thin film.
本文针对半导体薄膜光学参数的测定问题,对目前分析薄膜光学参数的方法进行了较为详细、系统的研究,从众多方法中选取反射光谱法与现代优化算法——遗传算法相结合,提出一种可以同时确定半导体薄膜多个光学参数的新方法。
3.
GaN semiconductor thin films were deposited on Si(111) substrates by chemical vapor deposition process using Ga2O3 and NH3 as source materials.
以Ga2O3和NH3为原材料,采用化学气相沉积法在Si(111)基板表面制备了GaN半导体薄膜。
补充资料：离子导体薄膜
薄膜化的离子导体。它不仅可以克服多数离子导体的离子电导率比较低的缺点，而且便于使固体离子器件小型化，同时还可能具有与块料不同的特性，因而引起人们的重视。太薄的膜容易出现贯穿薄膜的微小孔道即针孔缺陷，影响使用；而太厚的薄膜又与块料的性能差不多,因此离子导体薄膜的厚度通常在1～20μm之间。除常用的真空淀积、化学蒸发淀积和喷镀等薄膜制备方法外，还用电化学法、放电法和等离子喷镀等特殊工艺来制备离子导体薄膜。衬底与薄膜材料之间点阵常数和热膨胀系数的差异，往往在薄膜中引起残余弹性应力。薄膜离子器件中包含有几个相继沉积的薄膜，因而应力的大小是器件成败的关键。
离子导体薄膜电导率与膜的取向有关，而取向又受衬底温度和衬底材料的影响。薄膜电导率通常比块料高，例如以云母为衬底，在35°C制备的AgBr薄膜的电导率比单晶的高三个数量级。
用离子导体薄膜作为固体电解质已作成薄膜电池、高温燃料电池、库仑计、定时器、气体探测器和电色显示器等多种固体离子器件。对薄膜的制备、性能和应用的研究仍将是快离子导体研究的重要方面。
离子导体薄膜电导率与膜的取向有关，而取向又受衬底温度和衬底材料的影响。薄膜电导率通常比块料高，例如以云母为衬底，在35°C制备的AgBr薄膜的电导率比单晶的高三个数量级。
用离子导体薄膜作为固体电解质已作成薄膜电池、高温燃料电池、库仑计、定时器、气体探测器和电色显示器等多种固体离子器件。对薄膜的制备、性能和应用的研究仍将是快离子导体研究的重要方面。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条