1) pn junction self-stop etching
pn结自停止腐蚀
1.
It was fabricated using pn junction self-stop etching combined with adhesive bonding,and only three masks were used during the process.
传感器采用pn结自停止腐蚀和粘结剂键合的方式制造,制造过程仅需三块掩模板。
2) etch-stop
自停止腐蚀
1.
Research on deep boron diffusion etch-stop layer silicon wafer process;
高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究
2.
A novel process of fabricating sub-micro beams with contactless electrochemical etch-stop technique is presented.
根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。
3.
The p+ layer used in highly-doped boron etch-stop and pn junction used in electrochemical etch-stop is not thin enough to achieve thickness in sub-micro or nano dimension.
纳米结构加工的控制精度要求较高,浓硼自停止所需的浓硼扩散层和电化学自停止腐蚀所需的pn结由于浅结制作难度高,导致制作亚微米和纳米厚度结构比较困难,往往需要使用SOI硅片等昂贵的衬底材料。
3) self-stopped etch
腐蚀自停止
1.
Heavy boron-diffusion and self-stopped etch technique is a universal means to control the thickness accurately in micromachining.
浓硼扩散腐蚀自停止工艺是微机械加工中用于精确控制厚度尺寸的常用工艺,被广泛应用于微陀螺、微加速度计等惯性器件的加了工艺中。
4) etching-stop
腐蚀停止
1.
A typical fractal phenomenon during fabricating handfree ultrthin silicon membrane by etching-stop is presented.
利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时 ,在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构 。
5) etch stop layer
腐蚀停止层
6) self stop etching process
自截止腐蚀
1.
Thin silicon foils with thickness about 3 to 4 μm are prepared by semiconductor process combined with heavy doped self stop etching process.
以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度为 3～ 4μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用。
补充资料：pn结（p-njunction）
pn结（p-njunction）
在一块n型（或p型）半导体单晶上，用适当的工艺方法（如合金法、扩散法和离子注入法等）把p型（或n型）杂质掺入其中，使这块单晶的不同区域分别具有p型和n型的导电类型，在二者的交界面处就形成了pn结。pn结刚形成时，p区的多数载流子空穴向n区扩散，在n区边界附近与电子复合。p区失去空穴，在其边界附近就剩下带负电的受主离子；同理，n区电子也向p区扩散，在其边界附近剩下带正电的施主离子。结果在p区和n区交界面的两侧形成带正、负电荷的区域，称为空间电荷区，也叫耗尽区（多数载流子缺乏）。空间电荷区内正、负离子电荷总量相等，其中形成的电场方向由n区指向p区，它就是pn结的自建电场。在平衡时，自建电场的大小正好能阻止空穴和电子进一步扩散，使空间电荷区宽度保持一定。当结上加正向电压时（即p区接电源正极，n区接负极），自建电场削弱，使多数载流子（p区的空穴，n区的电子）容易通过pn结，因而电流较大，这时pn结叫做正偏结，电流称为正向电流；当结上加反向电压时，内建电场增加，只有少数载流子（p区的电子，n区的空穴）易通过pn结，因而电流很小，这时pn结叫做反偏结，电流叫做反向电流。pn结具有单向导电性，这是pn结最基本的性质之一。pn结这种整流特性是很多半导体器件和电路的核心。整流器及许多其他类型的二极管都是只含1个pn结的器件；一般结型晶体管是2个pn结构成的器件；晶体闸流管是含有3个或4个pn结的器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条