1) RF CMOS
射频互补型金属氧化物晶体管
2) radio frequency
射频
1.
The application of radio frequency nRF905 in flue gas desulfurization;
射频芯片nRF905在烟气脱硫系统中的应用
2.
The clinic observation of epistaxis treated with radio frequency and sinus endoscopy;
鼻内镜下射频治疗鼻出血的临床观察
3.
Radio frequency for refractory epistaxis of small vessel expansion on nasal septum;
射频治疗鼻中隔小血管扩张性顽固性鼻出血
3) RF
射频
1.
Study on the Parameter of ZnO Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering;
射频溅射法生长ZnO薄膜的参数研究
2.
Research on the Dielectric Constant of Frozen Spanish Mackerel and RF Defrosting;
冷冻鲅鱼的介电常数与射频解冻效果研究
3.
The integrated method of smart-home based on RF;
射频模式下家庭自动化集成方案
4) Radio-frequency
射频
1.
Radio-frequency influences on Cu film deposited by unbalanced magnetron sputtering;
射频对非平衡磁控溅射沉积Cu膜的影响
2.
Radio-frequency and stryker instruments under nasal endoscopy for 68 cases of adenoidal hypertrophy;
鼻内镜下射频结合电动切削器治疗儿童腺样体肥大68例
3.
Design of slow-paced radio-frequency thermo-therapeutic system for liver cancer;
射频热缓释肝癌热疗计划系统的研制
5) Radiofrequency
射频
1.
Influence on immunology of the rats: by combinative treatment of dendritic cells and radiofrequency ablation to the solid tumor;
致敏树突状细胞联合射频消融治疗对荷瘤大鼠免疫机能的影响
2.
Treatment of face acne vulgaris with nonablative radiofrequency;
射频治疗面部寻常性痤疮
3.
Clinical Application of Radiofrequency Thermocoagulation and Target Ablation in Treatment of Lumbar Intervertebral Disc Protrusion;
射频靶点热凝术治疗腰椎间盘突出症的临床应用
6) radiofrequency ablation
射频
1.
Study on the expression of survivin、rpr in leiomyoma of uterus by means of radiofrequency ablation;
射频治疗子宫平滑肌瘤组织中survivin、rpr表达及其意义的研究
2.
Objective:To study the value of ultrasonography guiding multiple electrodes radiofrequency ablation(RFA) for hepatic carcinoma.
目的 :探讨超声引导下多电极射频疗法对肝癌治疗的临床意义。
3.
Objective: To investigate the expression of survivin、rpr、c-fos and the apoptosis in leiomyoma of uterus by means of radiofrequency ablation and the relationship between clinical sing and their expression.
目的:射频治疗子宫平滑肌瘤组织中survivin、rpr、c-fos的表达和原位凋亡检测及其意义研究。
参考词条
补充资料：互补金属-氧化物-半导体集成电路
基本单元电路反相器由N沟道和P沟道 MOS场效应晶体管对管（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路和N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）构成，以推挽形式工作,能实现一定逻辑功能的集成电路,简称CMOS。单元电路如图1。CMOS电路的特点是：①静态功耗低,每门功耗为纳瓦级；②逻辑摆幅大,近似等于电源电压;③抗干扰能力强,直流噪声容限达逻辑摆幅的35％左右;④可在较广泛的电源电压范围内工作,便于与其他电路接口；⑤速度快，门延迟时间达纳秒级；⑥在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好；⑦与NMOS电路相比，集成度稍低；⑧有"自锁效应"，影响电路正常工作。
根据工艺的不同,CMOS电路可分为二类:①体硅CMOS电路已由初期的铝栅隔离环工艺发展成为硅栅等平面氧化物隔离工艺（见隔离技术）；②蓝宝石上外延硅CMOS电路，与体硅工艺相比，具有结电容和寄生电容小、功耗低、传输延迟小、封装密度高、抗辐射力强、无自锁效应和设计灵活等优点，但也有寄生边缘漏电和背沟道漏电、迁移率低、悬浮衬底引起的电荷存储效应等缺点。图2为上述两种CMOS电路结构示意图。
高性能CMOS电路（见高性能金属-氧化物-半导体集成电路）是CMOS电路和NMOS电路相结合的电路形式，在P型硅衬底上制作N阱的CMOS电路，可与NMOS电路在同一芯片上实现兼容，从而获得高集成度和低功耗。这为超大规模集成电路降低功耗提供了有效途径。
参考书目
史常忻：《CMOS集成电路》,江苏科学技术出版社,南京，1979。
根据工艺的不同,CMOS电路可分为二类:①体硅CMOS电路已由初期的铝栅隔离环工艺发展成为硅栅等平面氧化物隔离工艺（见隔离技术）；②蓝宝石上外延硅CMOS电路，与体硅工艺相比，具有结电容和寄生电容小、功耗低、传输延迟小、封装密度高、抗辐射力强、无自锁效应和设计灵活等优点，但也有寄生边缘漏电和背沟道漏电、迁移率低、悬浮衬底引起的电荷存储效应等缺点。图2为上述两种CMOS电路结构示意图。
高性能CMOS电路（见高性能金属-氧化物-半导体集成电路）是CMOS电路和NMOS电路相结合的电路形式，在P型硅衬底上制作N阱的CMOS电路，可与NMOS电路在同一芯片上实现兼容，从而获得高集成度和低功耗。这为超大规模集成电路降低功耗提供了有效途径。
参考书目
史常忻：《CMOS集成电路》,江苏科学技术出版社,南京，1979。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。