2) High frequency/high power device
硅双极器件
3) bipolar silicon device
双极硅器件
4) bipolar device
双极型器件
5) bipolar semiconductor
双极半导体器件
6) power bipolar semiconductor devices
功率双极半导体器件
1.
The emergence of aluminium implant technology (“i2”) at Dynex Semiconductor for the manufacture of power bipolar semiconductor devices has been well documented.
Dynex半导体公司用于功率双极半导体器件制造的铝注入技术(“i2”)的问世得到文献的肯定。
补充资料：“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
物理学术语。原子核外层中不成对的电子质量小，但磁动性很强，可使局部磁场波动增强，促使氢质子弛豫加快，从而使T1和T2缩短，这种效应即为PEDDPRE。过渡元素和镧系元素大部分在d和f轨道有多个不成对电子，所以其离子往往具有PEDDPRE，可用来作顺磁性对比剂，如钆(Gd)。Gd在外层有7个不成对电子，具有很强的顺磁性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条