1) high voltage driving IC
高压驱动芯片
1.
The basic internal circuit of high voltage driving IC is introduced.
介绍了高压驱动芯片的内部原理;分析了感性负载电路中负压产生的原因和引起高压驱动芯片误触发而使产品失效的机理;列举了两种通用的解决方法,并提出了另一种更为有效的方案,该方案已经在实际产品的电路中得到应用,取得了很好的效果。
2) driver IC
驱动芯片
1.
A 262144 color,132RGB×176-dot TFT-LCD monolithic driver IC is researched and successfully developed,which is fabricated by 0.
研制成功一款彩屏手机用262144色132RGB×176-dot分辨率TFT-LCD单片集成驱动控制电路芯片,提出了基于低/中/高混合电压工艺、数模混合信号VLSI显示驱动芯片的设计及其验证方法,开发了SRAM访问时序冲突解决电路、二级输出驱动电路和动态负载补偿输出缓冲电路等新型电路结构,有效减小了电路的功耗和面积,抑制了回馈电压的影响,提高了液晶显示画面质量。
2.
The experimental results show the latch-up of the novel driver IC with the guarding ring.
详细分析了平板显示器驱动芯片中的Latch-up现象,在此基础上采用了一种克服Latch-up的方法:在低压部分增加多子保护环,在高低压之间增加少子保护环。
3.
An energy recovery circuit, which is used in PDP driver ICs, with an equalization principle through linking up every output into a single joint in control of high-voltage switch is proposed.
主要提出了一种基于PDP驱动芯片的能量恢复电路,该电路利用将各个输出端通过控制高压开关管连接在一起进行电荷共享的原理,经过Hspice仿真验证具有完整的功能,并在CSMC0。
3) driving chip
驱动芯片
1.
This paper introduces the characteristics of memory and VFD driving chip.
该文介绍了存储器的分类及真空荧光屏显示器驱动芯片的特点;对芯片的显示存储器部分进行了深入的研究,给出了存储器的整体结构框图及几个重要组成部分的电路图;对其工作原理进行了详细的分析,并给出了相应的真值表或仿真结果。
4) L6234 driver chip
L6234驱动芯片
5) PDP driver IC
PDP驱动芯片
1.
So we have to make PDP driver ICs’design more easily more reliably and more cheaply.
然而过高的成本成为PDP普及的主要障碍,其中昂贵的驱动芯片是PDP高成本的一个重要方面,因此,迫切需要研制出具有自主知识产权的低成本的PDP驱动芯片。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条