1) defect-selective etching
缺陷选择性腐蚀
1.
And the defect-selective etching method combined with optical microscope and atomic force microscope(AFM)was carried out to study the mechanism of dislocation generation of GaN on PSS.
采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究,分析结果表明,位错来源于三个方面:一是"二步法"生长机制引入的位错;二是是由于图形衬底上不同区域GaN晶体相互连接时由于晶面不连续所造成的位错群;三是由于图形衬底制作工艺过程中引入的表面污染与损伤。
2) corrosive defect
腐蚀性缺陷
3) selective corrosion
选择性腐蚀
1.
The Si-TaSi2 field emitter arrays were fabricated according to the selective corrosion theory.
依据选择性腐蚀的原理,把电子束区熔技术制备的Si-TaSi2共晶自生复合材料制作为Si-TaSi2场发射阴极阵列。
2.
The cleaning was satisfactory and no selective corrosion and pit corrosion occurred to aluminum brass.
清洗效果理想,没有发生铝黄铜选择性腐蚀及点蚀,除垢率达到98%以上,达到了预期的目的。
4) selective etching
选择性腐蚀
1.
The selective etching of GaAs/Al XGa 1-x As(x=0 8～0 9)heterostructure,of which the GaAs solar cell of conventional structure is made,is a key process in the fabrication of solar cell removing the GaAs cap layer everywhere except under the grid lines and exposing the AlGaAs window layer.
对该异质结构的只腐蚀ＧａＡｓ而不腐蚀ＡｌＧａＡｓ的选择性腐蚀工艺是ＧａＡｓ太阳电池制备过程中的一道关键工序。
2.
In order to solve the problem of selective etching of the sacrificial layer in the MEMS fabrication technique,a new way to judge whether the sacrificial layer is etched completely was pointed out.
针对MEMS(micro-electro-mechanical system)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点。
3.
A optimized process consisting of two-step selective etching is proposed to solve the problem that the selectivity between TiN/Ti and TiSi_2 is poor with the conventional RCA1(NH_4OH:H_2O_2:H_2O) solution and results in a loss of a substantial part of the formed silicide thickness and hence in an increase of the contact resistance.
针对传统TiSi_2工艺中RCA1(NH_4OH:H_2O_2:H_2O)溶液对于TiN/Ti与TiSi_2的选择性不好会造成硅化物的损失、提高接触电阻的问题,提出一种采用2次选择性腐蚀的工艺方法进行改善。
5) selective etch
选择性腐蚀
1.
The processes of fabricatingwhite LED, including selective etching and bonding are also discussed.
详细阐述了利用双基色发光二极管制造白光发光二极管的发光原理,并讨论了制作过程,包括选择性腐蚀和Bonding技术的运用。
6) Etching effect
选择腐蚀性
补充资料：选择性腐蚀
在金属腐蚀过程中，在表面上某些特定部位有选择地溶解现象。金属固溶体的组分之一，优先地由于腐蚀而转入溶液，而金属表面则逐渐地富集了另一组成，称为组分的选择性腐蚀。如黄铜脱锌。而在多相合金中任何一相发生优先溶解，称之为组织的选择性腐蚀。铸铁因腐蚀而发生铁素体的溶解以及碳化物和石墨在表面上富集是这类腐蚀的实例。由于腐蚀后剩下一个已优先除去某种合金组分的组织结构，所以也常称为去合金化。去合金化后材料总的尺寸变化不大，但金属已失去了强度，因而易于发生危险事故。
除水溶液腐蚀介质外，在其他介质中以及高温腐蚀的条件下，也会发生选择性腐蚀。原子能反应堆中常用的液态金属介质,会对合金中某些组分有选择地溶解,造成金属材料表面层内这些成分贫化，也属于选择性腐蚀。
熔盐体系是引起选择腐蚀的危险介质，合金中比较活泼的组分在熔盐介质中的选择性溶解，常与高温氧化同时发生。在较高温度的熔盐体系内，合金中较活泼的元素和空位形成双向扩散，空位向内运动时聚集形成空腔，出现了克肯达耳效应(见金属中的扩散)。虽然腐蚀的溶解量不大，但对材料的高温力学性能影响很大。燃气轮机的转子叶片受热应力较大，容易因此造成破坏事故。晶界（见界面）上的选择性腐蚀，其危险性更大。
选择性腐蚀源起于金属表面上组分的差异，而在腐蚀介质的作用下行为各异。与介质反应时活性较大的组分将被优先氧化或溶解，而较稳定的组分则残留下来。
已经提出过几种不同的选择性腐蚀机理，在不同情况下腐蚀的历程可能不同。例如，水溶液中黄铜脱锌时黄铜先溶解，然后铜镀回基体上，形成腐蚀微电池；而在高温氧化条件下，生成氧化物时自由能下降较多的元素将优先夺走氧，因而氧化程度较大。液态金属中的腐蚀主要是一种物理作用，而不是化学作用；熔盐中的腐蚀则介于液态金属和水溶液之间，可能是物理溶解，也可以进行电化学反应。
使材料表面均匀化和调整介质的腐蚀活性是防止选择腐蚀的基本方法。往合金或介质内加入某些组分作为缓蚀剂，例如往黄铜中加入少量砷，也能防止选择性腐蚀。此外，防护层和阴极保护等也是常用的防护方法。
有时去合金化也有有益的用途，如用碱选择性地去掉铝镍合金中的铝，可制备镍催化剂。也可利用高温氧化过程中的选择性腐蚀达到防护效果。由于添加的合金元素与基体材料的高温氧化行为不同，可因添加组分的氧化而出现致密的氧化膜保护基体材料。当添加元素超过一定临界浓度时，这种防护作用将会十分明显。渗杂效应常是构成高温耐蚀材料的基础。
参考书目
A.Rahmel und W.Schwenk, Korrosionsschutz von Sthlen,Verlag Chemie,Weinheim,1977.
除水溶液腐蚀介质外，在其他介质中以及高温腐蚀的条件下，也会发生选择性腐蚀。原子能反应堆中常用的液态金属介质,会对合金中某些组分有选择地溶解,造成金属材料表面层内这些成分贫化，也属于选择性腐蚀。
熔盐体系是引起选择腐蚀的危险介质，合金中比较活泼的组分在熔盐介质中的选择性溶解，常与高温氧化同时发生。在较高温度的熔盐体系内，合金中较活泼的元素和空位形成双向扩散，空位向内运动时聚集形成空腔，出现了克肯达耳效应(见金属中的扩散)。虽然腐蚀的溶解量不大，但对材料的高温力学性能影响很大。燃气轮机的转子叶片受热应力较大，容易因此造成破坏事故。晶界（见界面）上的选择性腐蚀，其危险性更大。
选择性腐蚀源起于金属表面上组分的差异，而在腐蚀介质的作用下行为各异。与介质反应时活性较大的组分将被优先氧化或溶解，而较稳定的组分则残留下来。
已经提出过几种不同的选择性腐蚀机理，在不同情况下腐蚀的历程可能不同。例如，水溶液中黄铜脱锌时黄铜先溶解，然后铜镀回基体上，形成腐蚀微电池；而在高温氧化条件下，生成氧化物时自由能下降较多的元素将优先夺走氧，因而氧化程度较大。液态金属中的腐蚀主要是一种物理作用，而不是化学作用；熔盐中的腐蚀则介于液态金属和水溶液之间，可能是物理溶解，也可以进行电化学反应。
使材料表面均匀化和调整介质的腐蚀活性是防止选择腐蚀的基本方法。往合金或介质内加入某些组分作为缓蚀剂，例如往黄铜中加入少量砷，也能防止选择性腐蚀。此外，防护层和阴极保护等也是常用的防护方法。
有时去合金化也有有益的用途，如用碱选择性地去掉铝镍合金中的铝，可制备镍催化剂。也可利用高温氧化过程中的选择性腐蚀达到防护效果。由于添加的合金元素与基体材料的高温氧化行为不同，可因添加组分的氧化而出现致密的氧化膜保护基体材料。当添加元素超过一定临界浓度时，这种防护作用将会十分明显。渗杂效应常是构成高温耐蚀材料的基础。
参考书目
A.Rahmel und W.Schwenk, Korrosionsschutz von Sthlen,Verlag Chemie,Weinheim,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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