1)  Nd:YVO4 crystal
Nd:YVO4晶体
1.
A high-power high-repetition-rate acousto-optically Q-switched 1342 nm laser with double Nd∶YVO4 crystals pumped by fiber-coupled laser diodes and simulated results based on Q-switched rate equations considering gain distribution on spectrum are presented.
报道了采用光纤耦合激光二极管(LD)模块端面抽运Nd∶YVO4晶体实现高功率、高重复频率声光调Q1342 nm波长的激光输出,以及采用考虑增益频谱分布的调Q速率方程模型仿真研究该脉冲激光器的结果。
2.
The finite element was applied to analyze the thermal effect of LD end-pumped a-cut Nd∶YVO4 crystal,including temperature distribution,internal stress and its deformation.
由于a轴切割Nd∶YVO4晶体的非对称性,使得激光二极管(LD)端面抽运Nd∶YVO4固体激光器不同于Nd∶YAG激光器,输出的激光经常产生非对称结果。
3.
An a-cut Nd∶YVO4 crystal was end-pumped by a fiber-coupled laser diode(FCLD) at 808 nm.
采用808 nm光纤耦合输出激光二极管(FCLD)单端端面抽运Nd∶YVO4晶体,采用四镜折叠环行腔,在腔内插入法拉第旋光器和半波片实现激光的单向运转以抑制空间烧孔效应,并在腔内加入标准具,最终实现连续单频1064 nm激光输出。
2)  Nd:YVO 4 crystal
Nd:YVO4晶体
1.
Thermal focal length of Nd∶YVO 4 crystal is measured,and the result is obtained in experiment.
5 %的Nd∶YVO4晶体的热焦距进行实际测量 ,得出了不同泵浦功率下的热焦距数值。
3)  Nd:YVO_4 crystal
Nd:YVO4晶体
4)  double Nd:YVO_4 crystals
双Nd:YVO4晶体
5)  Nd
Nd
1.
Preparation and characterization of Nd-SO_4~(2-)/ZrO_2/13x solid superacid;
固体超强酸Nd-SO_4~(2-)/ZrO_2/13x的制备与表征
2.
Effects of Nd on Microstructure and Mechanical Properties of Mg-4Al-1Sr Alloy;
Nd对Mg-4Al-1Sr合金显微组织及力学性能的影响
3.
Simultaneous Analysis of La, Ce, Pr, Sm and Nd in Tea with ICP-OES;
ICP-OES法同时测定茶叶中La、Ce、Pr、Sm、Nd五种稀土元素
6)  neodymium
Nd
1.
Spectral properties of hydrogen-containing organic solution of neodymium chelate;
Nd~(3+)螯合物的含氢有机溶液光谱性能研究
2.
Effects of phosphate on the exchangeable form and the bioavailability of exogenous neodymium (Nd) in soil were studied with 147 Nd isotopic tracer.
用放射性同位素14 7Nd示踪法 ,以pH8 2的NaAc为土壤中交换态Nd的提取剂 ,研究了磷酸盐对土壤中外源Nd的交换态及生物有效性的影响 。
参考词条
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。
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