1) strained Si_(1-x)Ge_x alloy
应变锗硅合金
2) strained SiGe
应变硅锗
3) SiGe alloy
硅锗合金
1.
In this paper, a variety of low-dimensional quantum structures are formed on the SiGe alloy by the strong laser irradiation and the electrochemical etching with the weak laser irradiation assisted.
本文用强激光直接辐照和弱激光辐照辅助电化学刻蚀方法在硅锗合金薄膜上形成多种低维量子结构。
5) germanium-rick germanium-silion alloy
富锗的锗硅合金
6) gadolinium-silicon-germanium alloy
钆-硅-锗合金
补充资料：锗硅合金
分子式：
CAS号：
性质：一种半导体合金、掺入III族元素为p型，掺入V族元素为n型，用n和p型合金构成热电偶。一端为高温，另一端为低温。在热偶对回路中产生电流。是一种用于高温的半导体温差发电材料。电阻率为10-2～10-3Ω·m。单晶用区域匀平法制备。多晶用热压法制备。用于太阳能聚光发电、工厂余热利用发电、卫星温差发电器。
CAS号：
性质：一种半导体合金、掺入III族元素为p型，掺入V族元素为n型，用n和p型合金构成热电偶。一端为高温，另一端为低温。在热偶对回路中产生电流。是一种用于高温的半导体温差发电材料。电阻率为10-2～10-3Ω·m。单晶用区域匀平法制备。多晶用热压法制备。用于太阳能聚光发电、工厂余热利用发电、卫星温差发电器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条