1) organic field-effect transistors
有机场效应晶体管
1.
We fabricated a reverse amplification circuit as the modulation circuit of electro-optical modulator (using) an organic field-effect transistors(OFET), whose active material is CuPc, and measured the modulation results of the light signal.
利用以肽菁铜为半导体层的有机场效应晶体管构成一个反向放大电路作为电光调制器的调制电路,测试了其对光信号的调制效果。
2) Organic field-effect transistor
有机场效应晶体管
1.
With the rapid developments of organic optoelectronic devices, such as organic solar cells, organic light-emitting diodes (OLEDs) and organic field-effect transistors (OFETs), et al.
随着有机发光二极管(OLED)、有机太阳能电池和有机场效应晶体管(OFET)等有机光电子器件的深入研究开发,迫切需要迁移率高、稳定性好和易加工的有机n型材料来支撑其发展。
3) OFET
有机场效应晶体管
1.
Organic field-effect transistor (OFET) as a new generation of transistors has been importantly considered due to his potential applications and breakthrough of technologies in the field of microelectronics and information.
有机场效应晶体管(organic fieldeffect transistor,OFET)作为新一代半导体晶体管因其广阔的应用前景和近年来技术上的突飞猛进,使之成为微电子和信息领域科学研究和产品开发中热门的话题之一。
2.
Organic field-effect transistor(OFET)is a kind of novel electronic device,and is also a kind of active device using electric field to contral the electric conductivity of solid materials.
有机场效应晶体管(OFET)是一种新型的电子器件,是利用电场来控制固体材料导电性能的有源器件,有机场效应晶体管因具有:低成本、柔韧性、可实现大面积加工等一系列无机场效应管所不具备的优点受到越来越多的关注。
3.
As a typical n-type electronic transport materials,C_(60) derivatives are widely used in OFET, polymer thin-film solar cell and so on.
另一方面C_(60)的电子LUMO能级相对较低,容易受到空气中氧气和水的进攻,使得以这些化合物为有机层的有机场效应晶体管在空气中的稳定性也相应的比较差。
4) Organic field effect transistors
有机场效应晶体管
1.
Organic field effect transistors are of interest for a number of applications such as plane display, low-end smart cards, radio-frequency identification tags (RFIDs),and plastic electrons.
有机场效应晶体管(OFETs,OrganicFieldeffecttansistors)在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用,引起人们广泛的研究兴趣。
5) crystalline OFET
晶态有机场效应晶体管
6) organic filed-effect transistors(OFETs)
有机场效应晶体管(OFETs)
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条