1) high-voltage double diffused drain MOSFET
高压双扩散漏MOS晶体管
2) double-diffused MOS transistor
双扩散MOS晶体管
3) Double-diffusion MOSFET
双扩散MOS场效应晶体管
4) Triple-drain MOS transistor
三漏MOS晶体管
1.
The part of magnetic-field sensor has a magnetic-field sensitive device with complement triple-drain MOS transistor.
它的磁敏感部分由2个互补的三漏MOS晶体管组成,将恒流源、放大器、施密特触发器和输出驱动管等电路集成在同一块芯片上。
5) double-diffused transistor
双扩散晶体管
6) double-diffused transistor
双扩散型晶体管
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条