1) extension join
外延连接
1.
Then,an extension join algorithm based on the index structure is.
它既可支持结构连接计算,用以判断任意结点之间的子孙后代关系,也可支持基于名字外延的路径连接算法,用以判断任意结点之间的父子关系,同时可支持包含拥有关系的小枝查询;进而给出基于该结构的外延连接算法,使得对于长度为n的Xpath绝对路径查询,最多只需n/2-1次外延连接。
2) EMJ
外延多路连接算法
3) Delay Binding
延迟连接
4) butt joint growth
对接外延
5) In vitro ligation
体外连接
1.
Objective:To explore a new efficient method for constructing adenovirus vector containing heNOS, based on an in vitro ligation strategy.
目的:探讨一种新的有效的体外连接方法构建重组腺病毒转移载体。
2.
Two recombinant replication-defective human adenovirus serotype 5 expression vectors containing FMDV serotype A capsid P1-2A and viral 3C protease or 3ABC coding region were constructed by in vitro ligation.
采用体外连接法构建了含有A型口蹄疫病毒(FMDV)P1-2A和3C或3ABC基因的重组腺病毒表达载体。
6) external interconnection
外部连接
1.
By considerring external interconnection,an improved prior wire length estimation method is proposed.
提出了一种包含外部连接的改进线长估计算法,通过考虑最佳布局的内在特征,得出外部连接的互连长度分布和平均外部连接长度的计算公式。
补充资料：半导体外延生长
半导体外延生长
epitaxial growth of semiconductors
半导体外延生长即itaxial盯owth of semieon.ductors将衬底的结晶结构延伸到沉积层中形成有源层的技术。在半导体材料和器件的早期发展中已发现，用体单晶进行扩散或离子注入等方法形成薄膜作为有源层时，难以控制它们的浓度、厚度、结晶性能和电学性质等。因此，在20世纪60年代发展了外延工艺。外延是用单晶层沉积在单晶衬底表面上，并使衬底的结晶结构延伸到沉积层中。当沉积层和衬底是同种材料时称为同质外延，如GaAs层沉积在GaAs衬底上;而当沉积层与衬底不是同种材料时，则称为异质外延，如GaAIAs层沉积在GaAs衬底上。 外延条件与特征根据外延的定义，通常需要满足两个条件:①外延层和衬底的晶体结构必须具有相同的结晶空间群;②外延层和衬底的晶格参数必须尽量匹配。所谓尽量匹配，至今尚无定论，但有一般规律。如果晶格失配度定义为 。=(aL一隽)/aAv，(式中al_和绳分别为外延层和衬底的晶格参数，吸v为其平均值)，则当。蕊10一时，外延生长将使外延层产生晶格变形，以便穿越衬底和外延层，保持真正的晶格平面连续性;当:>10一时，则界面将产生失配位错等缺陷，以调节衬底和外延层之间存在的晶格失配和增加外延层成核困难的趋势。 与体单晶生长相比，外延生长具有下列优点:①外延温度比体单晶的熔点低，可减少杂质沾污;②可采用经过提纯的高纯原料，提高半导体的纯度;③可实现异质外延;④可制备多层和超薄层，甚至超晶格和原子层结构材料;⑤可控制外延层厚度、掺杂浓度和改变导电类型等。 外延方法及制备近10年来，外延生长的工艺和理论都有很大进展。选择合适的外延方法，不但可以获得高纯度、低位错、突变界面、高生产率、高均匀性和良好重复性的半导体材料，而且能够进行单原子层的外延，即所谓原子层外延(ALE)和原子层掺杂。后者为研究突变界面结构材料和在原子级水平上理解同质和异质外延的机理提供十分重要的信息。 随着半导体异质结制备，大面积集成、光电集成、超晶格与相应结构的发明和创造，使半导体材料、器件及电路进入新的水平，而这些结构只能用外延方法制备。常用的外延方法主要有4种:①气相外延(VPD。在51外延中常称化学气相沉积(CVD)。VPE与CVD的区别在于后者既包括外延又包括非外延。在VPE中反应物在流动气流中输运至衬底，然后进行沉积。金属有机化合物气相外延(MOVPE)是VPE中一种较新的工艺。
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参考词条