1) CMP
片上多处理器
1.
Chip multiprocessors(CMPs) provide high CPU performance without improving the frequency of processor,but when the CMP deals with share data,the cache coherency is problem that tends to put more pressure on the memory interface than their single-thread counterparts and decrease the efficiency of the parallel program.
片上多处理器(CMP)在不提高处理器频率的情况下能提高CPU的性能,但多核处理器在对共享数据进行并行运算时存在cache一致性问题,导致每个CPU的数据传输带宽和程序运行效率降低。
2.
There is clear evidence of the trend that more and more commercial offe-rings and research projects address chip multiprocessors(CMP) design.
目前工业界和学术界倾向于采用片上多处理器体系结构(CMP),对于此类结构,芯片性能受片外访存影响较大,因此如何组织片上高速缓存层次结构是一个关键。
3.
Aiming at the characteristics of scheduling tasks on CMP (chip multiprocessor), a genetic algorithm based on tri-dimensional coding method is put forward.
针对在片上多处理器上任务调度的特征,提出了一种基于立体编码的遗传算法。
3) chip multiprocessor
片上多核处理器
1.
Two chip multiprocessor execution models for soft error tolerance are proposed in this paper.
文中提出了两种片上多核处理器容软错误执行模型:双核冗余执行模型DCR和三核冗余执行模型TCR。
4) multiprocessor system-on-chip
多处理器片上系统
1.
Current trends indicate that multiprocessor system-on-chip is being increasingly used in application such as image processing, network multimedia, embedded system,.
多处理器片上系统在单芯片上集成了多种指令集处理器,可完成复杂完整的功能,在图像处理、网络多媒体和嵌入式系统等应用领域前景广阔。
6) scalable CMP architecture
可扩展片上多处理器
补充资料：单片式微处理器
利用大规模和超大规模集成电路技术，在一个微小的硅片上制作的中央处理器。芯片包括中央处理器的主要部分，如控制逻辑电路，指令译码、运算和处理电路等。单片式微处理器用 MOS电路工艺制成。第一个单片式微处理器是美国的intel 4004型4位微处理器,于1971年投产。后又试制出 8位的intel 8008微处理器。而第一个指令系统比较完整、功能较强的 8位单片式微处理器，则是1973年生产的8080。到80年代初已有16位、32位高性能单片式微处理器，性能已接近或超过一些小型计算机。
单片式微处理器8080由寄存器组、算术逻辑部件、时序逻辑电路和指令操作控制部件等组成。外部采用三总线（数据总线、地址总线、控制总线）结构，与存储器、输入输出等接口电路相联接（见图）。由地址总线决定从存储器（或接口电路）的某单元取的指令码（或数据），通过数据总线送到指令操作控制部件（数据送到寄存器组或累加器）。经过译码后，在时序逻辑电路配合下产生一系列控制信号，协调算术逻辑部件、寄存器组和外部电路工作。算术逻辑部件完成加、减和逻辑运算；寄存选择器组存放运算的原始数据和中间结果。
8位和16位单片式微处理器采用 NMOS工艺和HMOS工艺（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路、高性能金属-氧化物-半导体集成电路），速度快,使用单电源5伏，可与晶体管-晶体管逻辑电路(TTL)兼容。肖特基TTL电路用于位片式微处理器。CMOS电路工艺因其特有的优点如功耗少、抗干扰性能好、环境适应范围大等而受到重视。
在NMOS电路工艺中，反相器采用增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路，有利于提高电路速度和减小芯片面积。触发器采用双相时钟(有的是内部产生)准静态电路；寄存器组采用存储器结构；指令操作控制早期采用随机逻辑电路，以节省芯片面积和提高操作速度，后为可编程序的逻辑阵列或微程序只读存储器。这有利于芯片版图的规整,易于修改设计和调试。因MOS电路驱动能力弱，在输出级采用大面积的推挽式驱动器，以驱动外界一个标准TTL逻辑电路负载。
微处理器发展迅速，新产品不断出现。一方面向高性能发展，如采用流水线技术，面向操作系统和高级语言的指令系统，实现软件透明的多重处理，支持浮点运算和提高虚拟地址空间等。用超大规模集成技术在一个芯片上制作几十万个元件（包括MOS晶体管）,实现过去用软件完成的工作。工艺上采用小于2微米的沟道,可使门延迟小于200皮秒,芯片主频率提高到12兆赫以上。另一方面，单片式微处理器向低造价、大批量的微控制器发展，即在一个芯片上包括中央处理器（4位、8位、16位）、数据存储器、输入输出接口电路、数-模和模-数转换器、时钟电路、定时器和固化的程序存储器等。
单片式微处理器8080由寄存器组、算术逻辑部件、时序逻辑电路和指令操作控制部件等组成。外部采用三总线（数据总线、地址总线、控制总线）结构，与存储器、输入输出等接口电路相联接（见图）。由地址总线决定从存储器（或接口电路）的某单元取的指令码（或数据），通过数据总线送到指令操作控制部件（数据送到寄存器组或累加器）。经过译码后，在时序逻辑电路配合下产生一系列控制信号，协调算术逻辑部件、寄存器组和外部电路工作。算术逻辑部件完成加、减和逻辑运算；寄存选择器组存放运算的原始数据和中间结果。
8位和16位单片式微处理器采用 NMOS工艺和HMOS工艺（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路、高性能金属-氧化物-半导体集成电路），速度快,使用单电源5伏，可与晶体管-晶体管逻辑电路(TTL)兼容。肖特基TTL电路用于位片式微处理器。CMOS电路工艺因其特有的优点如功耗少、抗干扰性能好、环境适应范围大等而受到重视。
在NMOS电路工艺中，反相器采用增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路，有利于提高电路速度和减小芯片面积。触发器采用双相时钟(有的是内部产生)准静态电路；寄存器组采用存储器结构；指令操作控制早期采用随机逻辑电路，以节省芯片面积和提高操作速度，后为可编程序的逻辑阵列或微程序只读存储器。这有利于芯片版图的规整,易于修改设计和调试。因MOS电路驱动能力弱，在输出级采用大面积的推挽式驱动器，以驱动外界一个标准TTL逻辑电路负载。
微处理器发展迅速，新产品不断出现。一方面向高性能发展，如采用流水线技术，面向操作系统和高级语言的指令系统，实现软件透明的多重处理，支持浮点运算和提高虚拟地址空间等。用超大规模集成技术在一个芯片上制作几十万个元件（包括MOS晶体管）,实现过去用软件完成的工作。工艺上采用小于2微米的沟道,可使门延迟小于200皮秒,芯片主频率提高到12兆赫以上。另一方面，单片式微处理器向低造价、大批量的微控制器发展，即在一个芯片上包括中央处理器（4位、8位、16位）、数据存储器、输入输出接口电路、数-模和模-数转换器、时钟电路、定时器和固化的程序存储器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条