1) electronic-opto response
电光响应
1.
The reform involves the adoption of a laser to emit a LCD panel, and a detector to measure the characteristic of viewing angle and electronic-opto response of LCD pixel.
通过实验系统功能的扩展,利用一激光照射液晶屏,再通过一激光探测器进行测试,可测试液晶像素的视角特性和电光响应曲线,强化了学生综合能力的训练。
2) Photoresponse
[,fəutəuri'spɔns]
光电响应
1.
Origin of Photoresponse Transition of Copper Electrode from p-Type to n-Type;
铜电极光电响应p型转变为n型的机理探讨
2.
The crystal structure and photoresponse of ZnO thin films fabricated on ITO substrates;
在双层薄膜中空间内建电场的存在有助于光生电子和空穴有效地分离,使ZnO/ITO双层薄膜具有较强的光电响应能力,光电流达14μA。
3) photoelectric response
光电响应
1.
The causes for CCD dark current and photoelectric response are theoretically analyzed.
从理论上分析了CCD暗电流和光电响应不均匀性产生的原因,根据光电响应模型提出了CCD像素光电响应不均匀性的校正方法,给出了像素光电响应不均匀性的校正系数用以计算校正量;并针对实际情况中干扰光的影响,提出了采用变波长去除干扰方法,对校正方法进行了修正;最后通过仿真对算法进行了验证。
2.
The influence of non-uniformity for sub-pixel determination, the cause for CCD dark current and photoelectric response are theoretically analyzed.
从理论上分析了像素响应不均匀性对CCD亚像素细分的影响 ,以及CCD暗电流和光电响应不均匀性产生的原因。
3.
The evaluating algorithm of the probability contribution of BR′s spectrum and photoelectric response is suggested on the basis of the perceptron algorithm.
依据感知器原理提出了光谱和光电响应概率贡献的估计算法 ,进行了实例运算 。
4) photocurrent response
光电流响应
5) photoconductive response
光电导响应
1.
The profiles of the stable-antephotoconductive response and the minority carrier lifetime of a narrow band Hg1-xCdxTewere studied.
实验测量了光斑的尺寸，最后用此光学系统研究了窄禁带半导体Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ的稳态光电导响应和少子寿命分布。
2.
The uniformity of the stable-state photoconductive response and the transient decay response of Hg1-xCdxTe (MCT) material is studied.
研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应的均匀性,用可调谐连续Pb_(1-x)Sn_xTe激光测量稳态光电导,用GaAs/GaAlAs脉冲激光激发瞬态光电导。
6) electrooptic frequency response
电光频率响应<光>
补充资料：材料电光效应
分子式：
CAS号：
性质：某些材料当受外加电场作用后，其光学介电性能改变的现象。外加电场可以是静电场、微波电场，也可以是光学电磁场。一些晶体电光作用基本上来源于电子；另一些晶体中电光作用与振荡模式有关。电光效应在有些情况下随外加电场而呈线性变化；另一些情况下则随场强呈二次方变化。重要的电光材料有铌酸锂、钽酸锂(焦铌酸钙)、磷酸二氢钾、铌酸钡锶(SrxBa1-xNb2O6)，磷酸二氢钾，钽铌酸钾[K(TaxNb1-x)O3]、铌酸钡钠(Ba·NaNb5O15)等铁电晶体和透明铁电陶瓷如锆钛酸镧铅[(Pb，La)(Zr，Ti)O3]等。由于极化状态或相变或折射率随电场而变,这类材料应用广泛如光学振荡器、频率倍增器、激光频振腔中的电压控制开关，光学通讯系的调制器，以及光的存贮和图像显示等。
CAS号：
性质：某些材料当受外加电场作用后，其光学介电性能改变的现象。外加电场可以是静电场、微波电场，也可以是光学电磁场。一些晶体电光作用基本上来源于电子；另一些晶体中电光作用与振荡模式有关。电光效应在有些情况下随外加电场而呈线性变化；另一些情况下则随场强呈二次方变化。重要的电光材料有铌酸锂、钽酸锂(焦铌酸钙)、磷酸二氢钾、铌酸钡锶(SrxBa1-xNb2O6)，磷酸二氢钾，钽铌酸钾[K(TaxNb1-x)O3]、铌酸钡钠(Ba·NaNb5O15)等铁电晶体和透明铁电陶瓷如锆钛酸镧铅[(Pb，La)(Zr，Ti)O3]等。由于极化状态或相变或折射率随电场而变,这类材料应用广泛如光学振荡器、频率倍增器、激光频振腔中的电压控制开关，光学通讯系的调制器，以及光的存贮和图像显示等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条