1) isotropic dry etching
各向同性干法刻蚀
1.
XeF2 can react directly with silicon spontaneously without ionization required, so it can be used as the gas for isotropic dry etching of silicon.
XeF2不需要任何电离作用,与硅可发生自发反应,可用作对硅各向同性干法刻蚀。
2) anisotropy of dry etching
干法刻蚀的各向异性
3) isotropic etching
各向同性蚀刻，等向性蚀刻
4) anisotropic etching
各向异性刻蚀
1.
The fabrication of the pump cavity and one-way valve by anisotropic etching a.
针对微泵的关键结构——复合驱动膜,探索了一种Si/SiO2/Ti/Au/PZT/Cr/Au多层驱动膜结构制备方法,解决了在硅基底上制备PZT薄膜的问题,同时探讨并解决了硅各向异性刻蚀微泵的微驱动腔、单向阀的工艺问题,并通过SEM照片对V型阀和多层驱动膜进行了表征。
2.
The problems of fabrication for the pump cavity and one-way valve fabricated by anisotropic etching are investigated and.
针对微驱动器的关键结构驱动膜,探索了Si/SiO2/Ti/Au/PZT/Cr/Au多层驱动膜结构制备方法,解决了在硅基底上制备PZT薄膜的问题,同时详细探讨了硅各向异性刻蚀微驱动器的关键部件驱动腔、单向阀的工艺,解决了集成制作的V型阀微驱动器的关键工艺问题,并通过SEM照片对V型阀和多层驱动膜进行了表征。
3.
Through studying the process of ICP and anisotropic etching associate with bonding technology, ideal silicon tips and suitable process conditions were obtained.
隧道硅尖的制备是微机械隧道传感器制作的一个重要组成部分 ,通过对ICP刻蚀和湿法各向异性刻蚀工艺制备硅尖实验的研究 ,得到了合适的工艺条件以及较理想的硅
5) isotropic etching
各向同性腐蚀
6) anisotropic etching
各向异性蚀刻，非等向性蚀刻
补充资料：各向同性和各向异性
物理性质可以在不同的方向进行测量。如果各个方向的测量结果是相同的,说明其物理性质与取向无关,就称为各向同性。如果物理性质和取向密切相关，不同取向的测量结果迥异，就称为各向异性。造成这种差别的内在因素是材料结构的对称性。在气体、液体或非晶态固体中，原子排列是混乱的,因而就各个方向而言,统计结果是等同的，所以其物理性质必然是各向同性的。而晶体中原子具有规则排列，结构上等同的方向只限于晶体对称性所决定的某些特定方向。所以一般而言，物理性质是各向异性的。例如， α－铁的磁化难易方向如图所示。铝的弹性模量E沿[111]最大(7700kgf/mm2),沿[100]最小(6400kgf/mm2)。对称性较低的晶体（如水晶、方解石）沿空间不同方向有不同的折射率。而非晶体(过冷液体)，其折射率和弹性模量则是各向同性的。晶体的对称性很高时，某些物理性质(例如电导率等)会转变成各向同性。当物体是由许多位向紊乱无章的小单晶组成时，其表观物理性质是各向同性的。一般合金的强度就利用了这一点。倘若由于特殊加工使多晶体中的小单晶沿特定位向排列（例如金属的形变"织构"、定向生长的两相晶体混合物等），则虽然是多晶体其性能也会呈现各向异性。硅钢片就是这种性质的具体应用。
介于液体和固体之间的液晶，有的虽然分子的位置是无序的，但分子取向却是有序的。这样，它的物理性质也具有了各向异性。
介于液体和固体之间的液晶，有的虽然分子的位置是无序的，但分子取向却是有序的。这样，它的物理性质也具有了各向异性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条