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1)  strained Si
应变Si
1.
Dispersion relation model of valence band in strained Si;
应变Si价带色散关系模型
2.
Anisotropy of hole effective mass of strained Si/(001)Si_(1-x)Ge_x
应变Si/(001)Si_(1-x)Ge_x空穴有效质量各向异性
3.
A band edge model in(101)-biaxial strained Si on relaxed Si1-xGex alloy,or monoclinic Si(m-Si),is presented using the k·p perturbation method coupled with deformation potential theory.
p微扰法建立了(101)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型。
2)  Strain Si MOSFET
应变Si MOSFET
3)  Strained Si/SiGe MOSFET
应变Si/SiGe MOSFET
4)  strained heterostructure Si/SiGe-OI
Si/SiGe-OI应变异质结构
5)  Si modification
Si变质
6)  Mo/Si reaction
Mo/Si相变
补充资料:Al-Si cast aluminium alloy
分子式:
CAS号:

性质:以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5%~25%,并添加镁、铜等元素,形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5%~13%的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13%以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。

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参考词条