1) WGS
宽带填隙卫星
1.
Multiple Access Analysis in Onboard Processing of WGS;
宽带填隙卫星系统星上处理多址技术分析
2) broadband satellite
宽带卫星
1.
It might be a developmental direction in the near term that the broadband satellite carries on_board_process and multi_beam antenna based on the geosynchronous orbit, the ATM technology is a competent option to apply to the on_board_process.
本文介绍了宽带卫星的技术要求、要解决的问题、主要技术及其构思 ,指出基于地球静止轨道上的具有星上处理功能和多波束覆盖的宽带卫星可能会是近期发展较快的卫星系统 ,ATM技术适合用来完成宽带卫星星上处理功能。
2.
To provide high throughput transmission channels for IP traffic with good QoS guarantee, the onboard gateway processor has became one of the hot spots in the research field of broadband satellite.
为了提供高吞吐量和良好QoS保障的IP传输通道,作为宽带卫星网络核心的网关处理器已经成为了宽带卫星的研究热点之一,而网关处理器的体系结构是否能对相关协议和应用提供良好支持是成败的关键。
3) satellite bandwidth
卫星带宽
4) broadband satellite networks
宽带卫星网
1.
Broadband satellite networks are a.
二十世纪九十年代末期，人们开始对宽带卫星网络产生浓厚兴趣。
5) broadband satellite access network
宽带卫星接入网
1.
The multiple access control(MAC)protocol in broadband satellite access network is investigated.
对宽带卫星接入网的多址接入控制(MAC)协议进行了研究,提出了一种基于自相似业务流量混沌预测的新型混合动态分配多址接入方案。
6) Broadband satellite communication
宽带卫星通信
1.
Firstly,the associated concept and developments of broadband satellite communication were introduced,then the main technical issues that need to be solved was proposed,and examples of the typical application were given.
首先,介绍了宽带卫星通信系统的有关概念和发展现状,提出了需解决的主要技术问题,给出了典型应用;然后,在介绍卫星移动通信的国内外发展现状的基础上,研究了系统的特点及需要突破的关键技术;最后,介绍了空间通信网的基本概念,给出了网络组成及功能,分析了需要解决的若干新技术。
2.
This paper gives a comprehensive discussion about the development and design of broadband satellite communication system,analyses its issues,and explains its tradeoffs.
详细探讨了宽带卫星通信的发展概况、设计原则、问题和折衷考虑,提出了宽带卫星通信网络的结构模型以及卫星星座设计选择,讨论并分析了宽带卫星通信的若干关键技术以及发展所面临的问题,最后阐述了宽带卫星通信技术的未来发展趋势。
3.
Brief introduction of broadband satellite communication, illustration of the project background and content arrangement are presented at the beginning.
宽带卫星通信系统是当前通信发展的热点之一。
补充资料：宽带隙半导体（wide-bandsemiconductor）
宽带隙半导体（wide-bandsemiconductor）
室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条