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1)  edge breakdown
边缘击穿
1.
A Geiger mode planar InGaAs/InP avalanche photodiode(APD)with a cascade peripheral junction structure to suppress edge breakdowns is designed by finite-element analysis.
通过有限元分析设计了具有抑制边缘击穿的层叠边缘结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管。
2)  insulation breakdown
绝缘击穿
1.
This paper analyzes the reason of an insulation breakdown emergence on the stator bar of Unit 1 generator in Tianshengqiao-ⅠHydropower Station.
分析了天生桥一级水电站1号发电机定子线棒绝缘击穿事故及其原因,提出了加强施工现场管理;改进发电机定子绕组分支间的连接结构;在发电机加装在线监测装置等几项预防措施。
2.
That insulation breakdown is a common fault has been found,according to the investigation on the operating conditions of three hundred 800kW vertical sychronous motors.
根据对300台800KW的立式同步电动机的运行情况调查,发现绝缘击穿故障是一个常发性的问题。
3)  dielectric breakdown
绝缘击穿
1.
TDDB(time-dependent dielectric breakdown)is a key method to value the quality of thin gate oxide.
经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。
4)  box barrage
缘边射击
5)  spar-over
击穿(绝缘体)
6)  main insulation breakdown
主绝缘击穿
1.
In order to determine the reason for main insulation breakdown of power cable terminal on 110 kV Liangrong Line under Foshan Power Supply Bureau,the anatomy of the cable terminal and the slice inspection analysis of material are carried out.
为确定佛山供电局110kV良容线电缆终端主绝缘击穿的原因,对该电缆终端头进行解剖和材料切片检查分析。
补充资料:pn结击穿(electricalbreakdownofp-njunction)
pn结击穿(electricalbreakdownofp-njunction)

对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。

击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的,如果立即降低反向电压,pn结的性能可以恢复;如果不立即降低电压,pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时,如没有良好散热条件,将使结的温度上升,反向电流进一步增大,如此反复循环,最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿,称为热电击穿,此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质,击穿电压限制了pn结的工作电压,所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。

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