1) chip PTC ceramics
片式PTC陶瓷
2) PTC ceramics
PTC陶瓷
1.
Influence of La and Y codoping on the behaviors of BaTiO_3-based PTC ceramics;
La和Y掺杂对BaTiO_3基PTC陶瓷性能的影响
2.
Barium titanate based PTC ceramics doped by Nb-Si-Mn heterogeneous nucleation surface deposition method;
铌硅锰非均匀形核表面淀积掺杂PTC陶瓷
3.
Fabrication of chip-type PTC ceramics through the aqueous tape-casting method;
水基流延法制备片式PTC陶瓷
4) PTC ceramic
PTC陶瓷
1.
PTC ceramics were prepared by Bi、V replace the lead which was contained 15mol% gradually,and BaTiO3-NBT.
在BaTiO3基质中用15mol%Pb作移峰剂,以此为基础配料制备了Bi和V分别取代部分Pb的PTC陶瓷及BaTiO3-钛酸钡钠(NBT)陶瓷,采用SEM、EDS等方法对其性能进行了测试,并分析研究了烧成制度对显微结构的影响以及晶界重氧化对材料电性能和PTC效应的影响。
2.
A study has been made on the pulse Sn ion beam implantation in the surface of BaTiO3 PTC ceramic.
用脉冲金属离子束Sn注入BaTiO_3 PTC陶瓷的表面,结果表明:在低温空气中退火处理,注入层对CO有敏感特性。
3.
The effect of sintering atmosphere on the proper-lies of Ni/PTC ceramic composite had been discussed.
本文以双施主掺杂BaTiO_3陶瓷为基体,采用颗粒化学镀技术制备Ni/PTC陶瓷复合材料,获得两相分布均匀的复合粉料,探讨了烧结气氛对金属/PTC复合材料性能的影响。
5) BaTiO3-based PTC ceramics
BaTiO_3系PTC陶瓷
6) PTC thermistor ceramic
PTC热敏陶瓷
1.
Effect of TiCN on properties for (Ba_(0.85)Sr_(0.11)Pb_(0.04)) TiO_3-based PTC thermistor ceramics;
TiCN对钛酸钡基PTC热敏陶瓷性能的影响
补充资料：PTC热敏陶瓷电阻器
分子式：
CAS号：
性质：又称PTC热敏陶瓷电阻器。具有显著正温度系数特性的半导体热敏陶瓷。一类以钛酸钡或钛酸钡基固溶体为主晶相的半导体陶瓷材料。其主要特性是电阻率能在20～30％的狭窄温区内变化6～8个数量级之多。居里温度通常在-40～+38℃之间。耐电压强度很高。以碳酸钡和二氧化钛为原料，采用施主掺杂技术，用镧、铈、钕、钐、钇、铋、锑等的三价离子部分取代四价钛离子，配料后经高温(1350℃左右)烧结可形成固溶体，实现半导化，其电阻率可达100Ω·cm以下。配方中常加入Al2O3、SiO2、TiO2(又称AST)形成玻璃相，吸收原料中影响半导化的有害杂质(如钾、钠、亚铁、镁离子等)。为提高正温度系数效应，改善物理性能，常添加少量氧化锂、氧化锰等。为提高钛酸钡半导体陶瓷的居里温度，可引入钛酸铅；若降低居里温度，可添加钛酸锶，制成(Ba、Pb、Sr)TiO3基高温或低温电阻正温度系数热敏陶瓷。对配料的组成、烧成制度等要求非常严格，若配料组成变动，烧成温度等不稳，控制不当，将影响制品性能甚至将形成绝缘体。可用于制作液面深度探测器、温度控制器、电流限制器、电机及晶体管过热保护器、自控温发热体(如暖风机、美容保健器等)等等。
CAS号：
性质：又称PTC热敏陶瓷电阻器。具有显著正温度系数特性的半导体热敏陶瓷。一类以钛酸钡或钛酸钡基固溶体为主晶相的半导体陶瓷材料。其主要特性是电阻率能在20～30％的狭窄温区内变化6～8个数量级之多。居里温度通常在-40～+38℃之间。耐电压强度很高。以碳酸钡和二氧化钛为原料，采用施主掺杂技术，用镧、铈、钕、钐、钇、铋、锑等的三价离子部分取代四价钛离子，配料后经高温(1350℃左右)烧结可形成固溶体，实现半导化，其电阻率可达100Ω·cm以下。配方中常加入Al2O3、SiO2、TiO2(又称AST)形成玻璃相，吸收原料中影响半导化的有害杂质(如钾、钠、亚铁、镁离子等)。为提高正温度系数效应，改善物理性能，常添加少量氧化锂、氧化锰等。为提高钛酸钡半导体陶瓷的居里温度，可引入钛酸铅；若降低居里温度，可添加钛酸锶，制成(Ba、Pb、Sr)TiO3基高温或低温电阻正温度系数热敏陶瓷。对配料的组成、烧成制度等要求非常严格，若配料组成变动，烧成温度等不稳，控制不当，将影响制品性能甚至将形成绝缘体。可用于制作液面深度探测器、温度控制器、电流限制器、电机及晶体管过热保护器、自控温发热体(如暖风机、美容保健器等)等等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条