1)  UHV/CVD
超高真空/化学气相沉积
2)  UHV-CVD
超高真空化学气相沉积
1.
According to the delay in nucleation of SiGe on SiO_2 surface at low temperature,an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHV-CVD)technique was adopted.
利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定时间的特点,采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术,550℃下,在硅光刻窗口处,选择性生长了锗硅外延层。
3)  UHVCVD
超高真空化学气相沉积
1.
Poly-SiGe films prepared by metal-induced growth using UHVCVD system;
金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜
2.
Poly-SiGe films are prepared using a metal-induced growth technique with an ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system at low temperatures.
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜。
3.
Ultra-high Vacuum Chemical Vapor Deposition (UHVCVD) was a good choice, it provided a super clean, low temperature, low pressure ambient, and controlled thin films' growth precisely.
超高真空化学气相沉积(UHVCVD)具有超净的生长环境、能够在低温、低压下生长锗硅材料,可精确控制薄膜生长等优点。
4)  UHV/CVD
超高真空化学气相沉积
1.
2% C is grown at a relatively high temperature(760 ℃)on Si(100) wafer substrates using Ultra high Vacuum/Chemical Vapor Deposition(UHV/CVD).
用超高真空化学气相沉积方法 ,在Si(10 0 )衬底上生长掺C高达 2 2 %的Si1-x-yGexCy 合金薄膜 ,外延层质量良好。
2.
Molecular beam epitaxy (MBE) is described along with three types of chemical vapor deposition: ultrahigh vacuum (UHV/CVD),atmospheric pressure (APCVD),and rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD).
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延 (MBE)、超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)、常压化学气相沉积 (APCVD)、快速热化学气相沉积 (RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题 ,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进 ,最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。
5)  super high
超高
1.
Hoisting technique of steel vestibule of super high, super weight and large span;
超高、超重、大跨度钢通廊的吊装技术
2.
In the National Conference Center Project at Beijing Olympic Park(Area B),there were super high and super heavy floor at 13 locations,with storey heights from 7.
北京奥林匹克公园(B区)国家会议中心工程超高、超重顶板共计13个部位,层高为7。
6)  superelevation
超高
1.
The study about methods of superelevation calculations on highway design;
公路设计超高计算方法的研究
2.
A few discussions on highway superelevation design;
公路超高设计的有关问题浅析
3.
Through the analysis about superelevation calculation in middle of S type curve,The author brings forward the improvement method of oblique ridge road arch in convolution engagement of S type curve.
根据S型曲线在超高过渡计算时遇到的具体情况进行分析,提出了对"S型曲线"在两反向回旋线衔接处进行用斜脊式路拱设计的改进方法。
参考词条
补充资料：超高真空
分子式：
CAS号：

性质：压力低于10-6Pa的气态空间。在超高真空条件下可以获得免于污染的清洁固体表面。现在多用无油超高真空系统产生。该系统主要由预抽泵、主体泵和金属阀门组成。常用的预抽泵有分子筛吸附泵或机械泵加分子筛吸附阱。主体泵有钛泵、钛升华泵、弹道式钛泵等，真空度可达10-9Pa。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。