1) doping center
掺杂中心
1.
The difference in number of valence electron could cause the net charge effect of doping center.
采用复合体模型,探讨了长余辉晶体Y2O2S∶Eu中碱土金属离子M2+和Ti4+离子对Y3+离子的取代,离子间价电子数的差异,会造成掺杂中心的净电荷效应,当掺杂中心的净电荷为正时,掺杂中心起电子陷阱作用;当掺杂中心的净电荷为负时,掺杂中心起空穴陷阱作用。
2) deathnium
['deθnjəm]
复合中心;掺杂;重新组合
4) NTD-Si
中子嬗变掺杂硅
1.
Practicallization of Neutron Transmutation Doped-Silicon(NTD-Si)Is the One of Breakthrough Points in Development of Power Semiconductor Devices;
中子嬗变掺杂硅(NTD-Si)的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一
5) neutron transm utation doping
中子辐照掺杂
6) neutron transmutation doping
中子转变掺杂
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条