1) Junction capacitance
结电容
1.
A direct current electrical source was used to charge the junction capacitance of light-emitt.
利用直流电源对发光二极管(LED)的结电容充电,切断直流电源后对LED的电压-时间特性进行测量。
2.
The spectral response,quantum efficiency,and junction capacitance were calculated,and the crosstalk between two bands and the function of barrier layer were analyzed in detail.
对于60×60μm2探测单元MW1和MW2的结电容大约为1。
3.
Some critical parameters of these new structure photodetectors,such as dark current,responsivity,and junction capacitance,are measured and analyzed.
利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响。
2) junction capacitor
结电容
1.
In the paper,based on the properties of transistor junction capacitor,we analyze and study deeply abnormal change of frequency when votage undulates and we also point out the usefulness of the result of this analysis in reality.
从晶体管结电容自身的特点出发，对电源波动时频率产生异常变化的现象进行了分析和研究，具有一定的实际意义。
3) structural capacitance
结构电容
1.
The electric field distribution and structural capacitance of this switch is simulated by the calculation of ANSOFT.
利用有限元计算的软件Ansoft对设计的V/N开关进行建模,计算了模型加压导通过程几个关键时刻的电场和电位的分布及开关的结构电容为15。
4) capacitance of PN junction
PN结电容
5) junction capacitor
结电容器
6) Colleotor-junction Capacitance
集电结电容
补充资料：pn结电容（p-njunctioncapacitance）
pn结电容（p-njunctioncapacitance）
pn结具有电容特性。pn结电容包括势垒电容和扩散电容两部分。pn结的耗尽层宽度随加在pn结上的电压而改变。当pn结加正向偏压时，势垒区宽度变窄、空间电荷数量减少，相当于一部分电子和空穴“存入”势垒区。正向偏压减小时，势垒区宽度增加，空间电荷数量增多，这相当于一部分电子和空穴的“取出”。对于加反向偏压情况，可作类似分析。pn结的势垒宽度随外加电压改变时，势垒区中电荷也随外加电压而改变，这和电容器充放电作用相似。这种pn结的电容效应称势垒电容。另外，在正偏结中，有少数非平衡载流子分别注入n区和p区的一个扩散长度范围内（称做扩散区），其密度随正向电压的增加而增加，即在两个扩散区内储存的少数非平衡载流子的数目随pn结的正向电压而变化。这种由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为pn结的扩散电容。pn结电容是可变电容。势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化。pn结电容使电压频率增高时，整流特性变差，是影响由pn结制成器件高频使用的重要因素。利用pn结电容随外加电压非线性变化特性，可制成变容二极管，在微波信号的产生和放大等许多领域得到广泛的应用。
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参考词条