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1)  latched comparator
锁存比较器
1.
Design of the fully differential high speed low voltage latched comparator
全差分高速低电压锁存比较器的设计
2.
This paper expounds a high-speed CMOS latched comparator with large gain suitable for △-∑ modulator.
本文设计了一款用于△-∑调制器的高增益高速CMOS锁存比较器
2)  bipolar latch comparator
双极锁存比较器
3)  latch comparator
比较锁存放大器
4)  preampilifer-latch comparator
预放大-锁存比较器
5)  Preamplifier-latch comparator
预放大锁存比较器
1.
Based on the research and analysis of system structure of 10-bit 100MSPS Pipelined CMOS ADC, according to the system performance, the specifications of sub_ADC is obtained, while the sub_ADC including the preamplifier-latch comparator, the reference ladder resistance and the clock-control encode circuits are d.
基于对10-bit 100MSPS Pipelined CMOS ADC系统结构的分析研究,结合系统性能确定了子ADC的指标要求,详细讨论并设计了子ADC单元模块的设计,包括预放大锁存比较器,参考电阻串和时钟控制编码电路。
2.
To reduce power dissipation of a sigma-delta analog-to-digital converter,a new high-speed and low-power dissipation CMOS preamplifier-latch comparator,which is suitable for use in a sigma-delta analog-to-digital converter,was presented in CMOS 0.
18μm工艺,提出1种由参考电压产生电路、预放大器、锁存器以及用作输出采样器的动态锁存器组成的新型高速低功耗的CMOS预放大锁存比较器
6)  pre-amplifier-latch comparator
预运放-锁存比较器
补充资料:比较器


比较器
comparator

  示。输出电压U。发生突变的条件仍然是UP~U。~OV。 、.、__.__,_____R,在反相输人端应用登加厚理得。。二U.万二二花二十日R 皿、1刁一J、2 R1Rl+RZ,当u。一。时,则u;一uTh一导uR,uR是 J、之直接和U.相比较的基准电压。调节Rl、RZ即可改变门限电压U丁h之值。图1(f)为其传输特性。 单门限比较器的缺点是抗千扰能力差。如图1(b)所示,当Ui〔行h,而十分接近于UThJ时,U。能稳定在一U:上,这时,如果U中串人一个负向的干扰电压,只要这个干扰电压的绝对值小于瓜了,U。就不会突变,仍然能稳定在一U,上,从而避免了误动作。比较器有单门限比较器和带正反馈的迟滞型比较器两种。 单门限比较器原理电路如图1(a)所示。设运算放大器N(简称运放)的开环电压放大倍数为Au。,理想值为Au。~co;U、为被比较的输人模拟电压。这里,运放的同相输人端直接接地,故另一个和Ui进行比较的电压UP为oV,这个零伏电压又称基准电压U,。运放N一旦工作在放大区,就有U。二Au。(UP一U。),而且U,=o;当U。=U、一I、R>o时,U。等于运放的负向饱和值U一,如图1(b)所示.需要指出的是,这时运放已工作在负向饱和状态(开关状态),运放N已脱离放大区,公式Uo~Au。(UP一U。)已不成立,但是,当U、刚由OV向正方向增加的瞬间,运放仍工作在放大区,上述公式还是适用的。相反,当Ui从+ZV朝负值变化,U;在OV附近时,运放又退出负向饱和区进人放大区,一旦Ui<。V时,运放又由放大区进人正向饱和区,此时Uo二U。。,如图1(b)所示。可见,运放输出电压发生跳变时的输人电压U:一UTh一OV,UT卜称为阔值电压,又叫门限电压。这个比较器只有一个阐值电压,故得名单门限比较器。一般情况下,运放的正、负饱和电压绝对值不相等,即 U+。。护U一 同理,图1(c)亦为单门限比较器,其门限电压UTh亦为。V,与图1(a)的区别在于:输人电压Ui接于同相输人端,其传输特性如图1(d)所示。 门限电压U,、不是OV的电路图如图1(e)所┌────┐ │ )侧J│ ┌─────┐ │ 门.卜 │ │ 卜‘口│ │ N+ │ │ N+ │ │十 │ │·十 │ └────┘ │ │ └─────┘ ┌─────┬───┐ ┌────┐ │ │,尸‘│ │__卜OJ │ ├─────┼───┤ │ N+ │ │O │ │ │十 │ │ │ │ └────┘ │ │ │ └─────┴───┘ 图1单门限比较器 (a)反相抢入比较器;(b)图(a)的传输特性; (c)同相抢入比较器;(d)图(。)的传枪特性;(e)UT卜括。时的反相输入比较器;〔f)田(e)的传愉特性
  
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参考词条