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1)  Interaction between phonons
声子间相互作用
2)  Interaction between phonons
声子之间相互作用
1.
Considering the interaction between phonons of different wave vectors in the recoil process,the influence on the ground state energy of the magnetopolaron is discussed.
在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了对半导体量子点中磁极化子的基态能量的影响。
2.
The influence of the interaction between phonons of different wave vactors in the recoil process on the ground state energy of the surface polaron in the GaSb semiconductor surface was discussed.
P方法导出了表面极化子的基态能量 ,声子平均数 ,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间相互作用对GaSb半导体表面中表面极化子基态能量的影响。
3.
The infiuence of the interaction between phonons on the character of the polaron in a AlSb theoretically are studied by means of the method by L.
P提出的方法,在理论上研究了声子之间相互作用对AlSb内极化子性质的影响。
3)  interaction energy between phonons
声子之间相互作用能
4)  electron-phonon interaction
电-声子相互作用
1.
Based on the spin-polarization ferromagnetism theory of Hirsch and taking the electron-phonon interaction into account,we study the effect of electron-phonon interaction on the spontaneous magnetization m of metallic hydrogen at zero temperature.
运用Hirsch的自旋极化铁磁理论并计入电-声子相互作用,讨论了金属氢在T=0K时的自发磁化强度随晶体的Wigner-Seitz半径r的变化。
2.
Using the density-functional perturbation theory by the linear response method, the lattice dynamics and the electron-phonon interaction of MgB2 film are studied.
结果发现,MgB2薄膜中的声子存在软化现象,并且声子的软化提高了电-声子相互作用,从而增强了薄膜的超导电性。
3.
The quantized LO and IO phonon fields as well as their corresponding electron-phonon interaction Hamiltonians are also derived.
为了描述受限纵光学声子的振动,采用了一个正确的LO声子势函数,同时,为了处理系统中的界面光学声子,采用了行列式解线性方程组的方法,得到了量子化的LO与IO声子场以及它们的电-声子相互作用哈密顿。
5)  electron-phonon interaction
电声子相互作用
1.
Influence of electron-phonon interaction on single electron tunneling in a quantum dot molecule;
电声子相互作用对量子点分子中单电子隧穿的影响
6)  interaction between phonons
声子相互作用
1.
For emphasizing the influence of interaction between phonons on polarons in quantum dots in the magnetic field,the theoretics model were predigested,and the influence of potential on the electron mass was replaced by the electron mass in energy band.
为突出双声子相互作用对磁场内量子点中极化子的影响,简化了理论模型,把库仑势对电子质量的影响用电子在能带中的质量来代替。
2.
Considering the interaction between phonons of different wave vector in the recoil process,the ground state energy of polaron as a function of the confinement length of quantum dot and the mean number of phonons are discussed.
在基态能量相同时,考虑声子之间相互作用时的平均声子数比不考虑声子相互作用时的平均声子数要小一些,即声子之间的相互作用对量子点中平均声子数影响不能忽略。
补充资料:电子-声子相互作用
      点阵振动和电子的作用。固体中的电子受到组成点阵的正离子对它的作用。由于离子并非静止,它们总是在平衡位置附近振动着(见点阵动力学),它们对电子的作用可以分为两部分:一部分是静止在平衡位置(即点阵阵点)上的离子造成的周期性电场。周期场除了使电子的能谱形成能带(见固体的能带)以外,并不造成对于电子的散射,即在周期场中运动的电子的能量、动量(准动量)不变;另一部分是振动所造成的相对于周期性电场的偏离的影响。由于这是离子运动的效果,所以是随时间变化的。离子的振动可分解为各种频率、波矢和偏振的简正模(见点阵动力学)。各个简正模的振动态都是量子化的,点阵的振动可以用各种频率、波矢和偏振的声子来描写。电子-声子相互作用指的就是点阵振动和电子的相互作用。
  
  振动着的点阵,因为电场偏离了周期性,使电子受到散射。散射的效果是电子和振动点阵之间发生动量和能量的交换。电子的能量和动量可以转移给点阵,加剧了点阵的某一简正模的振动,升高了该简正模的量子化能级,结果是电子给出能量和动量,发射一个声子;反之,通过相互作用,点阵的一个简正模也会降低它的量子化能级,而把能量和动量交给了电子,这便是电子吸收一个声子而获得了能量和动量。这种发射和吸收的过程,是电子-声子相互作用的基元过程。发射或吸收声子前后电子的能量和动量变化与被发射或吸收的声子的能量和动量之间的关系,由能量和动量的守恒条件来确定。
  
  电子-声子相互作用引起许多固体的物理效应。它是纯净而无缺陷的金属之所以有电阻的原因(见固体的导电性)。电子-声子相互作用又会导致电子有效质量的修正(见准电子)。在离子晶体中,形成极化子(见固体中的元激发)的主要因素也是电子-声子相互作用。
  
  另一个重要物理现象──超导电性──的起因,也是电子-声子相互作用。1950年发现了超导体同位素效应:同一超导元素的临界温度与各同位素的质量的平方根成反比。这是电子-声子相互作用成为超导电性的基本起因的实验启示。现在知道,超导电性的原因是费密面附近的电子之间会因电子-声子相互作用而存在等效的吸引力。这种吸引力可理解为一个电子发射声子,后者随即又被另一个电子吸收的结果。只有对于费密面附近的电子,这种交换声子的过程使电子间互相吸引,而在其他电子间则不是这样。根据量子力学的测不准关系,作为过渡的声子的能量并不需要满足守恒关系,所以各种声子对吸引力都有贡献。吸引力的强弱直接决定超导临界温度的高低(见超导微观理论)。
  

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参考词条