1) Pt/n GaAs
Pt/n_GaAs
2) Platinum
[英]['plætɪnəm] [美]['plætṇəm]
Pt
1.
Platinum/TDPAPE Nanocomposite: Preparation and Photocatalytic Hydrogenation of m-Phenoxy Benzaldehyde;
Pt/三苯胺酸卟啉酯纳米复合物的制备及光催化加氢反应
2.
Theoretical Study on the Behavior of CO Chemisorption on Low-index Platinum Surfaces;
CO在Pt低指数面上吸附行为的理论研究
3.
Selective Catalytic Reduction of NO by CH_4 on Platinum-based Monolithic Catalysts;
整体式Pt基催化剂上CH_4选择性催化还原NO的研究
3) PT acid
PT酸
1.
Control of PT acid content in PTA product;
PTA产品中PT酸含量的控制
2.
The methods of reducing the PT acid content in PTA;
探析降低PTA中PT酸含量的方法
4) Pt/TiO_2
Pt/TiO2
1.
Pt/TiO_2 was obtained by photo-reduction.
光催化结果表明Pt/TiO2的光催化活性比纳米TiO2大大提高,用荧光光谱讨论了Pt/TiO2光催化活性提高的机理。
2.
Photocatalytic Hydrogen Generation Using Glucose and Sucrose as Electron Donors over Pt/TiO_2;
因此,本文以Pt/TiO2为催化剂,研究了以葡萄糖和蔗糖为电子给体的光催化制氢反应以及有机物自身的去除效果。
5) Pt/ Carbon spherules(CS)
Pt/CS
6) Pt-MoO_3
Pt-MoO3
1.
The Pt-MoO_3/C catalysts were prepared in the method of chemical deposition and dipping.
用浸渍法和化学沉积法来制备Pt-MoO3/C催化剂,用线性扫描法(LSV)研究了甲醇及CO在Pt-MoO3/C和Pt/C电极上的电化学氧化。
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条