1) number of visible cones in crown
可见半面树冠
1.
An investigation at Badu seed orchard of Pinus tabulaeformis has been made to study two cone crop prediction methods:counting number of visible cones in crown from an observation point and counting number of cones in certain information section of crown.
用可见半面树冠法和信息段法，对陇县八渡油松种子园球果近期产量进行了预测，建立了预测模型，并验证其预测结果精度高，可靠性强。
2) Method of half-visible femal flowers in crown
可见半面树冠雌球花法
3) Visibility tree
可见性树
4) crown fuel
树冠可燃物
5) visible face
可见面
6) invisible face
不可见面
补充资料：可见光半导体激光材料
可见光半导体激光材料
visible semiconductor laser materials
可见光半导体激光材料visible semiconductorlaser materials激光波长在0 .3一0 .7召m范围内的半导体激光材料。按激光颜色可分红光半导体激光材料、蓝绿光半导体激光材料。可见光半导体激光材料的禁带宽度比红外半导体激光材料的宽。波长愈短，禁带愈宽。 红光半导体激光材料目前已用于制备0.6一0.7召m波段激光器的材料全部是nl一V族化合物半导体(表1)，故其晶体结构、能带结构一致，禁带宽度、晶格表1红光半导体激光材料┌────┬───────┬────────┬───┬───────┐│波长 │激活层 │限制层 │衬底 │备注 ││ (刀m) │ │ │ │ │├────┼───────┼────────┼───┼───────┤│ 0 .67 │Ga:一xAI二As │ Ga卜，AI，As │GaAS │x二0 .4y=0，7 ││ 0 .67 │Ga。.Sln。.SP │ Ga卜盆Al沈As │GaAs │ x>0 .7 ││ 0 .67 │Gao .Slno.。P │Ino .5(Ga，一、 │G月A只│ x二0 .4一1 ││0 .58一 │Inl一了(Ga卜x │ Alx)。.。P ├───┤ ││ 0 .69 │ Alx)，P │ In卜环Ga卜丫 │GaAS │ ││ │ │ AI了)，，P │ │ │└────┴───────┴────────┴───┴───────┘常数、折射率与组分和温度关系遵循相同规律。当使用Gal一xAlxAs/GaAs时，其激活层含有很高的AI组分，禁带宽度E;〔。V)┌─────────────┐│ AIS”沁一_ │├─────────────┤│l一 │├─────────────┤│ 沪 ││一/InP ││ 了曰、. │├─────────────┤│一牙长若 │└─────────────┘毕绷GaAs邝一0 QC6.6.﹄沉 ︵代︶杯枉滚咯外GaAIAs激光器可见光InGa人l尸激光器O一40。6〔k 81。t卜 滋射波长(林m) (AlxGa:一、)，In，一，l，的禁带宽度、 晶格常数与组分的关系氧化造成优质异质结生长困难，并引起器件快速退化，故其实际应用较少。实用化的红光半导体材料是InGaAIP/GaA氏其禁带宽度、晶格常数间的关系如图所示。
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参考词条