1) grain boundary layer semiconductor ceramic capacitor
晶界层半导体陶瓷电容器
1.
The grain boundary layer semiconductor ceramic capacitors were manufactured by one-time sintering technology.
采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成。
2) semiconductor ceramic capacitors
半导体陶瓷电容器
1.
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS (China), Vol 18, No 6, P 31 33(Dec 1999) In Chinese Introduced are semiconductor ceramic capacitors including general technology, ceramic structure, dielectric property and the differences between them and the capacitors of BaTiO 3.
论述半导体陶瓷电容器的一般工艺、瓷体结构、介电特性及其与一般ＢａＴｉＯ３ 型陶瓷电容器之差异。
3) surface layer semiconductor ceramics capacitors
表面层型半导体陶瓷电容器
1.
Presented are surface layer semiconductor ceramics capacitors, including its bas ic structure, important techniques, design parameters, specifications and typic characteristics, and equipment.
对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。
4) strontium titanate-based grain boundary layer capacitor ceramics
钛酸锶基晶界层电容器陶瓷
5) GBBLC
边界层陶瓷电容器
1.
Study on GBBLC Coated with Oxide;
MnO_2对边界层陶瓷电容器的影响
2.
Grain Boundary Barrier Layer Capacitor (GBBLC) is one of the most important kind of ceramic capacitors and show very high apparent dielectric constant .
边界层陶瓷电容器(Grain Boundary Barrier Layer Capacitor)是半导体陶瓷电容器中的最重要的一种，具有很高的表观介电常数。
6) ceramic semiconductor device
陶瓷半导体器件
补充资料：晶界层电容器
分子式：
CAS号：
性质：由半导化晶粒和晶界绝缘层所形成的一类陶瓷电容器。其晶粒为n型半导体，电阻率约为102～105Ω·cm或更低，晶粒发育较好，尺寸约20～100μm或更大，晶粒与晶粒之间为极薄的绝缘层，厚度仅为十分之几微米到数微米。制品具有介电常数很高，约数万到数十万，介质损耗较低，温度系数较小，在低电压和低阻抗晶体管等线路中显示出非常优良的性能。主要有钛酸钡系和钛酸锶系两类。工艺特点为施主掺杂半导化，空气中一次烧成或施主掺杂高温中性(氮气)或通氢还原烧成后，再经涂覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层，即二次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子计算机、汽车和电子电路中。
CAS号：
性质：由半导化晶粒和晶界绝缘层所形成的一类陶瓷电容器。其晶粒为n型半导体，电阻率约为102～105Ω·cm或更低，晶粒发育较好，尺寸约20～100μm或更大，晶粒与晶粒之间为极薄的绝缘层，厚度仅为十分之几微米到数微米。制品具有介电常数很高，约数万到数十万，介质损耗较低，温度系数较小，在低电压和低阻抗晶体管等线路中显示出非常优良的性能。主要有钛酸钡系和钛酸锶系两类。工艺特点为施主掺杂半导化，空气中一次烧成或施主掺杂高温中性(氮气)或通氢还原烧成后，再经涂覆氧化铜等进行第二次烧成形成晶界绝缘层，即二次烧成。广泛用于收音机、电视机、台式电子计算机、汽车和电子电路中。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条