1) antibiosis effect
抗生效应
1.
coli was used for evaluating the antibiosis effects on aphids on the basis of obtaining recombinant E.
该试验在获得高效表达GNA的重组大肠杆菌的基础上,测试了重组GNA蛋白对蚜虫的抗生效应。
2) post antibiotic effect
抗生素后效应
1.
Objective To explore the post antibiotic effect of levofloxacin coadministrated with netilmycin.
目的探讨左氧氟沙星与奈替米星联合应用的抗生素后效应(PAE)。
3) Postantibiotic effect
抗生素后效应
1.
Objective: An accurate and rapid method to detect the postantibiotic effect by flow cytometry was eaplored.
目的:探讨一种快速、准确检测细菌抗生素后效应(PAT)的流式细胞术。
2.
METHODS: During the Postantibiotic effect after exposure to gatifloxacin and ciprofloxacin, the aliquots were taken from the bacterial culture at regular intervals.
目的:通过对加替沙星和环丙沙星体外抗生素后效应(PAE)期间E。
3.
AIM: To investigate the postantibiotic effects (PAE) of different classes of antimicrobials against five different types of bacteria.
目的:测定不同类别抗菌药对5种细菌的抗生素后效应(PAE)。
5) post-antibiotic effect
抗生素后效应
1.
Significance of post-antibiotic effect for clinical administration;
抗生素后效应对制定治疗方案的指导意义
2.
For the selection of rational dosage regimen quinolones in clinic application, it is important to take pharmacokinetics, post-antibiotic effect and combination drug using into account.
文章通过查阅国内外有关文献并结合临床用药经验 ,对喹诺酮类抗菌药合理的给药方案进行了论述 ,认为临床应用喹诺酮类抗菌药必须从药动学特性、抗生素后效应及联合用药等方面予以考虑 ,选择合理的给药方案。
6) PAE
抗生素后效应
1.
Objective: To study on the post - antibiotic effect (PAE) of the new fluoquinolone pefloxacin(PFLX) .
目的:研究新喹诺酮类药物培氟沙星(Pefloxacin,PFLX)的抗生素后效应(PAE)。
2.
Aim To determine the PAEs in vivo induced by amikacin in seven patients,and study the relativity between AUC and PAE.
目的 :探讨阿米卡星药 -时曲线下面积 (AUC)与抗生素后效应 (PAE)的相关性 ,估算阿米卡星体内PAE。
补充资料：光生伏打效应
由光照引起电动势的现象。严格来讲，包括两种类型：一类是发生在均匀半导体材料内部；一类是发生在半导体的界面。虽然它们之间有一定相似的地方，但产生这两个效应的具体机制是不相同的。通常称前一类为丹倍效应，而把光生伏打效应的涵义只局限于后一类情形。
半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结；金属和半导体接触的界面；不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属－绝缘体－半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子－空穴对，在自建电场作用下的运动，就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
在PN结交界面处N区一侧带正电荷，P区一侧带负电荷，空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子－空穴对，它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子－空穴对，只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷，在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候，便达到稳定情况，这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来，则有一股电流流过，在外电路负载电阻很低的情况，这股电流就等于光致电流，称为短路电流。
光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能，称为太阳电池。目前，用硅单晶材料制造的太阳电池，已经广泛地应用于很多技术部门，特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后，很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外，利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结；金属和半导体接触的界面；不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属－绝缘体－半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子－空穴对，在自建电场作用下的运动，就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
在PN结交界面处N区一侧带正电荷，P区一侧带负电荷，空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子－空穴对，它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子－空穴对，只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷，在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候，便达到稳定情况，这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来，则有一股电流流过，在外电路负载电阻很低的情况，这股电流就等于光致电流，称为短路电流。
光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能，称为太阳电池。目前，用硅单晶材料制造的太阳电池，已经广泛地应用于很多技术部门，特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后，很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外，利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条