1) inversion of nonlinear heat source
非线性热源反演
2) inverse problem of nonlinear source term
非线性源项反演
3) Nonlinear inversion
非线性反演
1.
Application of seismic high resolution nonlinear inversion to thin and interbedded reservoir recognition;
地震高分辨率非线性反演在薄互储层识别中的应用
2.
The chaotic phenomenon in nonlinear inversion of seismic trace is analysed in detail.
本文先分析了地震道非线性反演中的混饨现象，然后从井出发，以非线性动力学不动点理论及混炖控制理论为基础，提出了井约束混地控制反演方法。
3.
Spline function method for nonlinear inversion of 2-D single magnetic interface depth is suitable to the case where re.
利用△T异常反演居里面深度的方法分为两个步骤：第一步，用多次插值切割法从总异常中分离出由居里面起伏引起的△T异常;第二步，用二维单一磁性界面深度的非线性反演的样条函数法对由居里面起伏引起的△T异常进行反演得到居里面深度。
4) non-linear inversion
非线性反演
1.
In the light of the fact that Lotka-Volterra model has the characteristic of spatiotemporal structure, and taking the theory of satellite orbit-determination into consideration, a practical method of non-linear inversion is proposed.
根据Lotka Volterra模型具有时空结构的特点 ,结合卫星定轨理论 ,提出一种非线性反演的实用方法 ,这种方法原理可用于一般系统连续时空数学模型的反演问题。
2.
This paper describes in detail the principle of non-linear inversion on AVO responses as well as the construction of objective function and calculation of Hesse matrix which are all used in the inversion.
详细论述了AVO非线性反演方法的原理、反演中目标函数的构造以及海色矩阵的计算 ,获得了较精确的含气砂岩的泊松比值 ,直接检测了气层。
5) Nonlinear heat source
非线性热源
6) seismic nonlinear inversion
地震非线性反演
1.
A seismic nonlinear inversion for apparent fracture density of hydrocarbon reservoir based on GA-BP theory;
基于GA-BP理论的储层视裂缝密度地震非线性反演方法
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条