1) Heat shock
热击
1.
Experiments of orthogonal design(L8(2￣7 ))on riCe seeds were carried out with microwave,45℃water bath and constant direct magnetic field(A-dose of miCrowave,B-duration of heat shock ,C-times of treatment,D-soaking in magnetic field).
用微波、恒温水浴、恒定直流磁场用结合的方法对水稻种子进行四因素二水平的正交试验，结果表明：微波热击、磁场处理相结合可显著提高种胚呼吸强度和种子活力，不同方法处理的发芽势芽长，与种胚呼吸强度呈显著正相关。
2.
flexneri on the growth in the media and different vegetables’wash waters under normal and hypoosmotic conditions, heat shock and pH tolerance.
本试验以福氏志贺菌和opgD突变体(敲除基因mdoD的福氏志贺菌)为出发菌株,研究了福氏志贺菌基因opgD在低渗和正常渗透压条件下,在标准培养基和洗菜水中对细菌生长、耐热击及耐酸碱能力的影响。
2) thermal shock
热冲击，热震
3) thermal shock
热冲击
1.
Growth behavior of IMC at SnAgCu(SnPb)/Ni and SnAgCu(SnPb)/Cu interface during thermal shock;
SnAgCu(SnPb)/Ni和SnAgCu(SnPb)/Cu界面金属间化合物在热冲击过程中的生长规律
2.
Numerical simulation of thermal shock damage behavior of TiC_p/W composites;
TiC_p/W复合材料热冲击损伤行为的数值模拟
3.
The Two-dimensional Computaions With FEM on The Transient Temperature Fields Caused By Thermal Shock;
二维热冲击瞬态温度场的有限元计算
4) Thermal impact
热冲击
1.
A quick comparative test approach for the property in withstanding thermal impact of metal material is put forward.
基于加速寿命试验原理,提出了一种简捷、实用的金属材料抗热冲击性能的快速对比试验方法。
2.
By using LSDYNA as a solver, the simulation of the dynamic response of short cylindrical shell under thermal impact was carried out on HPC360.
利用LS DYNA作为求解器在HP C360工作站上完成了轴对称圆柱壳受高速热冲击作用的计算机模拟,得到了位移时程曲线和单元的应力时程曲线,并与已有的结果进行了比较,还得到了在不同边界条件下线热膨胀系数、热传导系数以及比热容对位移和应力的影响。
5) thermal shock resistance
抗热冲击
1.
The close-knit interface and full structure of Ti/Al_2O_3 functionally graded materials(FGM) were obtained by hot pressing sintering method,its thermal shock resistance was studied under the temperature difference 1?000?℃ and 600?℃.
采用热压烧结(HP)技术制备了界面结合紧密、结构完整的Ti/Al2O3梯度功能材料,并分别在1 000℃、600℃温差下对其抗热冲击及抗热疲劳性能进行了研究。
6) thermal breakdown
热击穿
1.
How to overcome thermal breakdown and ageing of insulator for electrostatic precipitator;
如何克服电除尘器绝缘子的热击穿和绝缘老化
2.
Investigation of the source-side thermal breakdown mechanism in the deep submicron technology GGNMOSFET under ESD conditions;
静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理
补充资料：热击穿
分子式：
CAS号：
性质：电介质在电场作用下，由于漏电流、电损耗或孔隙局部气体电离放电产生放热，材料温度逐步升高，随着时间延续，积热增多，当达到一定温度时，材料即行开裂、玻璃化或熔化，绝缘性能被破坏而导致击穿的现象。这是介质材料常见的破坏原因之一。热击穿与介质的导致系数、强度、内部缺陷、掺杂物（杂质）、气孔、形状及散热条件等多种因素有关。
CAS号：
性质：电介质在电场作用下，由于漏电流、电损耗或孔隙局部气体电离放电产生放热，材料温度逐步升高，随着时间延续，积热增多，当达到一定温度时，材料即行开裂、玻璃化或熔化，绝缘性能被破坏而导致击穿的现象。这是介质材料常见的破坏原因之一。热击穿与介质的导致系数、强度、内部缺陷、掺杂物（杂质）、气孔、形状及散热条件等多种因素有关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条