补充资料：技术磁化

技术磁化
technical magnetization

变。磁畴的改变包括磁畴壁的移动(改变磁畴的大小)和磁畴内磁矩的转动(改变磁矩的方向)。前者称为(磁畴)壁移过程，后者称为(磁)畴转(动)过程。这种由外磁场引起的磁畴大小和分布的改变(统称磁畴结构变化)，在宏观上表现为强磁(铁磁和亚铁磁)物质的磁化强度M(或磁通密度B)随外加磁场的变化，称为技术磁化过程。其中B二内(H+M)，脚为真空磁导率，又称磁常数。M一H和B一H曲线称为技术磁化曲线，简称磁化曲线(见图)。 磁化曲线和磁滞回线 特点铁磁物质和其他具有磁畴结构的磁有序物质(统称强磁性物质)在技术磁化过程中表现出以下5个主要特点。 ①强磁性物质在未受外磁场H作用时处于未磁化状态，又称退磁状态(图中O点)。这时的宏观磁化强度M为零。在受到外磁场作用后，M随H的增加而沿曲线OAB变化。OAB曲线称起始磁化曲线，通常称磁化曲线。如果从B点减小磁场到零后又在相反方向增加磁场，则磁化强度沿BCDE变化;再减小磁场到零后又在正方向增加磁场，则磁化强度沿EFGB变化。整个曲线BCDEFGB称为磁滞回线。非线性的磁化曲线和磁滞回线是技术磁化的两个主要特征。 ②磁化曲线表现的非线性是由于受外磁场磁化时，壁移过程和畴转过程除可逆过程外，还具有不可逆过程。一般的强磁性物质从退磁状态受外磁场磁化时，其磁化过程可分为5个阶段:当外磁场很低时，主要为畴壁的可逆移动过程(图中①)，磁化曲线基本上为直线;再增加外磁场时，磁化曲线呈非线性陡然增大(图中②)，相当于不可逆壁移过程起主要作用，这是由于畴壁能势垒产生的;若再增加外磁场，磁化曲线虽仍表现弱的非线性，但增势减小(图中③)，这是由于不可逆壁移过程减少，而可逆畴转过程起主要作用;外磁场进一步增加，磁化曲线通过拐点(图中④)，这时不可逆畴转过程起主要作用，然后磁化达到饱和状态，这时壁移和畴转过程都相继结束，整个强磁性物质变为合磁矩转到外磁场方向的单磁畴;如果再增大外磁场，这时便只能是原子磁矩克服热扰动作用而趋向外磁场，类似顺磁物质的磁化过程，故称为顺磁过程(图中⑤)。上述5段磁化过程仅适用于一般强磁性物质的技术磁化过程。对于特殊的强磁性物质，前4段磁化过程发生的次序和占的比重都可能不相同，甚至只有畴转过程而没有壁移过程，单磁畴磁性材料即如此。 ③磁滞回线同磁化曲线一样，也是由不可逆的壁移和畴转过程产生的。由于铁磁性物质中微结构和微观结构不同，可产生不同形状的磁滞回线。一般可将磁滞回线分为5种类型:正常(S形)型回线，矩形回线，退化型(低剩磁)回线，蜂腰型(剩磁突降)回线和不对称回线。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。