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1)  nonlinear adsorption isotherm
等温非线性吸附
2)  Non-linear isotherm
非线性等温吸附线
3)  Nonisothermal adsorption
非等温吸附
4)  adsorption isotherms
吸附等温线
1.
The adsorption isotherms of Sodium Dodecyl Sulfonate(SDS) onto wool fiber surface which experienced clean processing from an acid aqueous solution(pH3.
5)水溶液中对十二烷基磺酸钠(SDS)的吸附等温线,以及羊毛在不同助剂(含乙二醇/苯甲醇和硫酸锌)的水溶液中对SDS的吸附等温线。
2.
The thermodynamics properties and mechanism of sorption process were studied for adsorpting phenol,p-cresol and p-methoxyphenol in aqueous solution with carbon nanotubes(CNTs)and the adsorption isotherms at different temperstures were determined.
本文研究了水溶液中碳纳米管(CNTs)吸附苯酚、对甲酚和对甲氧基苯酚的热力学特性,测定了不同温度下的吸附等温线,并探讨了其可能的吸附机理。
3.
Both adsorption isotherms and the average particle Zeta potential were studied in order to understand the suspension stability as a function of pH value,NaCl concentration,and surfactant concentration.
研究抗菌釉料(石灰石、长石、石英、高岭土及抗菌剂-纳米TiO2)对表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)的吸附性能,利用吸附等温线分析其吸附行为。
5)  adsorption isotherm
吸附等温线
1.
Determination of competitive adsorption isotherms of tryptophan enantiomers by inverse method;
逆向法确定色氨酸对映体竞争型吸附等温线
2.
Measurement and simulation of adsorption isotherms of VOCs on MAC;
VOCs在MAC上吸附等温线的测定与拟合
3.
The configuration analysis of the adsorption isotherm of nitrogen in low temperature with the lignite char produced under fast pyrolysis;
快速热解褐煤焦的低温氮吸附等温线形态分析
6)  sorption isotherm
吸附等温线
1.
The emphasis is put on the discussion of the effect of pH value and temperature on the sorption,and on the drawing of sorption isotherm.
探讨pH值和温度对吸附作用的影响,绘制吸附等温线。
2.
The sorption isotherm was evaluated at the same time.
主要讨论了pH和温度对吸附作用的影响,并绘制了吸附等温线。
3.
The sorption isotherms of phosphate to different nutrient levels of sediments in different pH were studied.
研究了不同营养水平沉积物在不同pH下对磷酸盐的吸附等温线,分别采用了线性和非线性2种方法拟合吸附等温线,并分析比较了2种方法的适用性。
补充资料:半导体非线性光学材料


半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场,从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温,导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外,极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段,可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中,载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应,使载流子能态分布量子化,并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍,因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外,外加电场很容易引起量子能态的显著变化,从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体,如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高,与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比,其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点,以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件,如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体,吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体,禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体,吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况,将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术,能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求,适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条