1) electrical measurement technique
电学测量技术
3) electrical measuring technique
电测量技术
1.
With rapid development of dricroelectronic, computer and netWork technique, theelectrical measuring instruments are developed form classical instruments to intelligent,computerized and virtual instruments;electrical measurement theory is enriched;domain of theelectrical measuring technique is expanded at a high speed.
依托于微电子技术、计算机技术和网络技术等的迅猛发展，电测仪表从模拟式、电子式逐步向智能化、微机化和虚拟化发展演变;;电测量理论不断丰富;;电测量技术领域迅速拓宽。
4) chemical measurement techniques
化学测量技术
1.
According to character of these techniques,they are divided into two kinds chemical measurement techniques and physical measurement techniques.
介绍了一系列用于有机涂层性能评价的技术及其特点 ,并将其划分成化学测量技术和物理测量技术 。
5) optical measurement techniques
光学测量技术
1.
The author of this paper introduces the fundamental research methods and different optical measurement techniques of liquid surface wave as well as the obtainable parameters for surface wave characteristics.
介绍了不同液体表面波的理论研究方法和光学测量技术以及可以得到的表面波特性参数。
6) electrical resistivity measuring technique
电阻率测量技术
1.
The location of the crack can be found by the change of the apparent resistivity,based on four-probe electrical resistivity measuring technique.
基于四探针电阻率测量技术,依据试验测得的混凝土表观电阻率变化确定裂缝位置。
补充资料：半导体材料电学参数测量
半导体材料电学参数测量
electric parameter measurement for semiconductor material
bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触，两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路，根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点，可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km，截面积Icm“材料的电阻，它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多，最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流，两根沿电流方向排列的探针与样品压触，测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差，mV;I为通过样品的直流电流，mA;A为样品截面积，。m“;L为探针间距，Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触，外面探针通过恒定直流电流，测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘，~‘、乙魂式中S为探针系数，cm;v23为中间两根探针电位差的测量值，mV;11、为通过样品的电流，mA;对于直线排列的四探针，探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离，cm。
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参考词条