网栅型,Mesh type,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) Mesh type 点击朗读

网栅型

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2) grid-type ion source 点击朗读

栅网型离子源

3) Grid [英][ɡrɪd] [美][grɪd] 点击朗读

栅网

Simulation of Grid-Controlled Electron Gun in Traveling Wave Tube; 点击朗读

行波管栅控电子枪栅网的结构可靠性

Fabrication Process on Spherical Grid with Big Radius of Curvature; 点击朗读

大曲率半径球面栅网加工工艺

Effect of grid and bias on the characteristic of CHF_3 electron cyclotron resonance discharge plasma;

栅网与偏压对CHF_3电子回旋共振放电等离子体特性的影响

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4) mesh [英][meʃ] [美][mɛʃ] 点击朗读

网栅

Realization of electric control of laser direct writing mesh on concave spherical substrate;

激光直写凹球面网栅的电控实现

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5) grid mesh 点击朗读

栅网

The dynamical characters of the grid mesh was simulated by ANSYS software,and inherent frequency and vibration modal are obtained.

栅网是栅控行波管中抗振性能最薄弱的部件,其振动特性的分析尤其重要。

Now the design of grid mesh affects the design of the whole electron gun, and has great effects over the quality,character and work parameters of electron beam.

而在现今发展的栅控电子枪中,栅网的设计影响整个电子枪的设计,它大大的影响着电子注的质量、性能以及栅极本身的工作参数。

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6) metal mesh 点击朗读

金属网栅

The ways and fundamentals are represented to measure terahertz wavelength using Fabry-Poret(F-P) interferometer made of two parallel metal meshes,the principle of metal mesh parameters design is discussed,the feasibility of this ways is analysed theoretically and the formula of calculating terahertz wave line width is derived.

阐述了由两个平行的金属网栅构成的Fabry-Perot(F-P)干涉仪测量太赫兹波波长的原理和方法,对金属网栅的参数设计原则进行了论述,从理论上分析了此方法的可行性,并根据此原理推出了计算太赫兹波线宽的公式。

By using the photolithograph and coating technology, the metal mesh film on IR substrate is made, the line width of metallic mesh less than 10μm, the period is about 350μm.

介绍了一种既高效透过红外光 ,同时又能有效屏蔽电磁干扰的金属网栅薄膜的基本原理和制备工艺。

补充资料：绝缘栅双极型晶体管

绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT

　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
　　

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参考词条

栅网结构网格光栅拉网板栅金属栅网栅网激发

栅格网栅格河网铅网板栅网栅流动栅格网络栅网图形

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