1) Auger quantitative anaysis
俄歇定量分析
2) Auger analysis
俄歇分析
1.
Using the diffusion of galium in SiO_2/Si series,Auger analysis of gallium-diffused silicon wafer is made.
采用Ga在SiO2 /Si系扩散途径 ,对扩Ga硅片进行了俄歇分析 ,在p型区未发现重金属杂质 ,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用 ,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性 。
2.
The arsenic layer of about 10nm deposited on the bubble surface of GaAs that was grown under microgravity condition has been measured by Auger analysis.
在空间生长SI GaAs的某些部位有汽泡产生 ,经俄歇分析 ,汽泡表面约有 1 0nm的砷层 ,它从半绝缘砷化镓内部逸出 ,导致其成为半导体。
3) Auger microanalysis
俄歇电子微量分析
5) Auger lineshape analysis
俄歇峰形分析
1.
Auger lineshape analysis is employed in the study of chemical and electronic states of GaAs/Si interface.
利用俄歇峰形分析技术对GaAs/Si界面的化学态和电子态进行了研究。
6) Auger cylindrical mirror analyzer
俄歇圆筒镜分析仪
补充资料：半定量分析
准确性比定量分析稍差的分析方法，特点是简单、迅速、费用低。常用于以下几种情况：①希望得知成分的大致含量，以便进一步选择合适的精确定量分析方法；②只要求分析快，不太追求成分的准确含量，例如某种合金型号的确定、工业生产中的中间控制、法医学中对毒物是否超过致死量的鉴定、试剂中杂质是否超过了法定标准的分析；③试样较少，没有理想的定量方法可采用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条