1) hydrofracturing in situ stress measurement
水压致裂法原地应力测量
2) Hydro-fracturing ground stress measurement
水压致裂法地应力测量
5) hydro-fracturing method
水压致裂法
1.
Within the irreversible thermodynamics framework and on the viewpoint of energy,relationships of energy dissipation,energy release,intensity and failure of rock are discussed when the hydro-fracturing method is carried for in-situ stress test.
同时基于能量耗散与释放原理推导出水压致裂法测量地应力岩体破坏时的临界应力公式,并应用上述公式结合水压致裂第一循环对某抽水蓄能电站地应力测量中的最大水平主应力进行计算,其计算值与传统理论计算值比较接近,表明所给出的临界应力公式是合理的。
2.
The two methods for measuring geostresses, the hole-wall strain-gauge method and the hydro-fracturing method, are described briefly; and their applications to a pumped storage power station and measured results are also expounded.
简述了深孔套芯解除法三维地应力测量和水压致裂法测量地应力的试验方法及其在某抽水蓄能电站中的测试结果,并结合地下厂房和高压岔管区时地应力测试结果进行了分析。
6) hydro-fracturing
水压致裂法
1.
In order to evaluate the characteristics of in-situ stress distribution in Ahai Hydro-power Station s dam site,Jinshajiang River,the hydro-fracturing measurement and analysis are conducted.
为了评价金沙江阿海水电站坝址区地应力的分布特征,进行了水压致裂法测试与分析。
2.
The initial stress is one of the most important parameters for the design of underground rock engineering,and hydro-fracturing method is a robust technique for stress measurement in deep rock mass.
初始地应力状态是岩石地下工程设计中的重要参数,而水压致裂法是深部岩体应力测量的理想方法。
3.
And combining with the hydro-fracturing in the hole, the resalts of geostress measurement test are analyzed in detail.
简述了高压压水试验方法及其在某抽水蓄能电站中的应用结果,并结合该孔中的水压致裂法地应力试验测试结果进行了分析,高压压水试验的成果与该孔水压致裂法地应力测试结果得到了相互验证。
补充资料：光致发光法测量
光致发光法测量
photoluminescence method
光致发光法测t曲oto一uxnineseence method受光照激发的物质处于较高的能态，在回复到低能态时，多余的能量通过光和热的形式释放出来，如果以光的形式发射出来，就称为光致发光。固体的光致发光研究可追述到20世纪50年代，那时研究的重点是绝缘体中离子的内辐射跃迁。到60年代，随着大功率连续工作气体激光器的问世，激光光谱技术的发展，半导体光致发光研究受到了广泛重视。 原理半导体受到光的本征激发时(光子能量h。大于禁带宽度凡)，电子从价带跃迁到导带，产生非平衡载流子电子一空穴对，非平衡的电子可直接越过禁带与价带的空穴复合，也可在被禁带中定域态俘获后再与空穴复合。复合可以是辐射复合即发光.或者是非辐射的表面复合，俄歇复合和发射多声子的复合等。半导体中主要的辐射复合过程包括:①带边复合。导带电子与价带空穴复合(e，h)，自由激子复合(F，X)以及束缚在中性、电离状态的浅施主和受主上的束缚激子复合(D气X，D+，X，A。，X，A一，X)等。只在比较纯净的半导体材料里才能观察到(e，h)和(F，X)复合发光的分立谱，而束缚激子复合发光强度则随杂质浓度提高而增加。当杂质浓度过高时，分立的带边谱相互重叠形成带l(图ib)。②电子从自由态到束缚态的复合跃迁(FB)。即导带电子经过浅施主与价带空穴或者是价带空穴经浅┌─┬──┬────┬────┬─┬──────┬─────┬──┐│〕│1 │ │ │ │ │ │ │├─┼──┼────┼────┼─┼──────┼─────┼──┤│ │】 │ 习 │氢一;， │及│ { │甘曰 │. ││ │} │匕P沙1; │ FB │ │FB │. │FBD ││ │} │‘F，X) │ │ │ . │介口~ │ ││ │} │ │ │ ├──────┼─────┼──┤│ │1 │ │ │ │压A │ . │J ││ │} │ │ │ │ │FBD │. ││ │ │ │ │ │ │ │r、 │├─┼──┼────┼────┼─┼──────┼─────┴──┤│门│民}1│l │l‘ │ │ │ 下 │└─┴──┴────┴────┴─┴──────┴────────┘FBDAPFBD 复合(发射)过程 ab图l光致发光示意图与PJ_图谱激发过程a半导体光致发光示意图b典型的PL图谙受主与导带电子的复合跃迁。
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参考词条