1) nonlinear monotone problem
非线性单调问题
1.
A multiplicative Schwarz algorithm and an additive Schwarz algorithm for nonlinear monotone problem are given,and the convergence theorems are obtained.
提出了解非线性单调问题的乘性与加性Ｓｃｈｗａｒｚ算法。
2) nonmonotonic linear complementary problem
非单调线性互补问题
1.
In the paper, an interior-point algorithm for nonmonotonic linear complementary problems is analyzed in detail, and the existing wrong results about the algorithm are pointed out.
通过对非单调线性互补问题所提出的一种内点算法进行分析,指出了算法中存在的关键性错误,在此基础上给出了求解一类非单调线性互补问题的宽邻域路径跟踪算法,给出了作为复杂性分析基础的两个重要关系式的正确表达式,并克服了由此带来的在收敛性分析中的一系列困难,成功地将线性规划问题的宽邻域内点算法,推广到非单调线性互补问题,讨论了算法的迭代复杂性。
2.
In this paper, a new interior point algorithm-high-order Dikin type affine scaling for a class of nonmonotonic linear complementary problems is developed.
对于一类非单调线性互补问题提出了一个新算法 :高阶Dikin型仿射尺度算法 。
3) nondegenerate linear complementarity problem
非退化单调线性互补问题
4) monotonic linear complementary problem
单调线性互补问题
1.
A new interior point algorithm--high\|order affine scaling for monotonic linear complementary problems is developed On the basis of idea of primal\|dual affine scaling method for linear programming ,the searth direction of our algorithm is obtained by a linear system of equation at each step we show that,by appropriately choosing the step size,the algorithm has polynomail time complexit
对于单调线性互补问题提出了一种新的内点算法———高阶仿射尺度算法 算法的每一步迭代 ,利用高阶原始—对偶内点算法的思想求解一个方程组得到迭代方向 ,再适当选取步长 ,使算法具有多项式复杂
5) the monotone horizontal linear comple-mentarity problem
单调水平线性互补问题
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条