1) semi-microscopic optical potential
半微观光学势
1.
In the framework of the LCNO theory, a semi-microscopic optical potential for the 16O+16O system has been obtained by considering the quasi-molecular structure of this system and by using the wave function of the independent α-particle model.
在ＬＣＮＯ理论框架下，基于独立α粒子模型和（１６）Ｏ＋（１６）Ｏ系统的准分子态结构，计算得出了该系统的半微观光学势，使用该势满意地再现了（１６）Ｏ＋（１６）Ｏ弹性散射激发函数中的粗共振结构。
2) microscopic optical potential
微观光学势
1.
A parameter-independent microscopic optical potential of nucleus-nucleus interaction is presented by a folding model with the isospin dependent complex nucleon-nuclear potential, which is calculated in the framework of the Dirac-Bruecker-Hartree-Fock approach.
从基本的Dirac-Brueckner-Hartree-Fock微观理论出发,得到同时包含实部和虚部的核子-核散射的微观光学势,并利用折叠模型直接获得了核-核散射参数无关的整体微观光学势。
2.
The study of a nucleus-nucleus microscopic optical potential (MOP) is one of the fundamental subjects in nuclear physics.
核-核弹性散射相互作用微观光学势的研究是核物理学中一项基础性的研究。
3) relativistic microscopic optical potential
相对论微观光学势
1.
The isospin-dependence of the relativistic microscopic optical potential is investigated in the Dirac Brueckner-Hartree-Fock approach.
采用DiracBrueckner—Hartree-Fock方法研究同位旋相关的相对论微观光学势,讨论了其同位旋相关项的处理。
2.
A new decomposition of the Dirac Brückner-Hartree-Fock (DBHF) G matrix is used to study the isospin-dependent relativistic microscopic optical potential (RMOP).
应用DiracBr櫣ｃｋｎｅｒ Hartree Fock方法 ,采用新的G矩阵分解方式研究了核子在核介质中的同位旋相关的相对论微观光学势 ,采用定域密度近似得到有限核的相对论微观光学势 。
4) Nucleon relativistic optical potential
核子相对论微观光学势
5) Microcosmic optical potential based on Skryme force
基于Skyrme力的微观光学势
6) Semiconductor optical microcavities
半导体光学微腔
补充资料：半导体材料的光学性质
半导体材料的光学性质
optical property of semiconductor
bondaotl eol}旧0 de guongxue xjngzhl半导体材料的光学性质(optieal property ofsemiconduetor)半导体材料中原子、电子与光子的相互作用涉及到半导体材料对光的透射、吸收和发光。半导体材料的光学性质与半导体材料的禁带宽度E:及材料中的杂质原子种类和状态密切相关，导致各类半导体材料在化学性质上有很大差异。 透射可见光的光子能量在1一3eV范围内，因此对于E:>3eV的晶体(大多是绝缘体)可见光将不被吸收，这样的材料是透明或接近透明的。对于E:小的晶体，例如金属的E:一o，透入的可见光将全部被吸收，材料不透明。半导体材料的Eg在接近3eV时呈半透明状，Eg小的半导体材料对可见光不透明，但大部分半导体对于波长较长的红外光则是透明的。 吸收光照射到半导体上，除部分反射外，一部分将透入半导体。光子能量凡>E，时，价带中的电子吸收后，可激发到导带中去，在价带中留下空穴。这种由光照引起的载流子浓度的增加，导致电导率的增加，称为光电导。△，~q(△n产n+△P产p)，式中，为电导率，△n和△P为光注入的非平衡载流子浓度;q为电子电量;群。和产。分别为电子和空穴迁移率。光照引起本征激发，称为本征光电导，光照引起杂质激发，称方杂质光电导。根据这一原理可制作光敏电阻。 在弱光照的条件下，少数载流子可增加几个数量级，而多数载流子增加不多。在停止光照后，增加的少数载流子将被复合掉。非平衡少数载流子从产生到复合掉的平均时间:称为少子寿命。显然如果禁带中存在着深能级，又称复合中心，将大大增加复合率和产生率，会使它变小。 发光光照或加以电场的作用，可以使半导体材料中的电子处于激发态，这些处于激发态的电子必然会向较低的能级跃迁，并以光辐射的形式释放出能量，这就是半导体材料的发光现象。由于硅、锗的能带结构属于间接能隙，导带底不在叉一。处，因此在复合过程中必须通过声子和复合中心进行，这样的复合一般是非辐射性的。但砷化稼与硅、锗不同，它的导带底和价带顶都位于叉~o处，是直接能隙材料，导带中的电子可以直接与价带中的空穴复合发射出能量w一E:的光子。按激发的方式，半导体发光可分为场致发光(电致发光)或光致发光。发光二极管一般采用场致发光。 (施钵行)
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参考词条