1) post oxidation annealing
氧化退火
1.
The Auger electron spectrometer (AES) is used to study the element depth Profile of rapid thermal nitridation SiO2 (RTN SiO2) film and jpost oxidation annealing SiO2 (PNA SiO2) film.
应用俄歇电子能谱仪，对快速热氮化法制备的热氮化二氧化硅（ＲＴＮＳｉＯ２）薄膜及快速热氮化后再氧化退火的二氧化硅（ＰＮＡＳｉＯ２）薄膜，进行元素深度分布剖析。
2) NO anneal
一氧化氮退火
3) on-line oxide annealing
在线氧化退火
4) wet ROA
湿氧二次氧化退火
5) Annealing in O_2
氧退火
6) deoxidized annealing
脱氧退火
补充资料：软化退火(见低温退火)
软化退火(见低温退火)
soft-annealing
rU0nhUO tUihUO软化退火(soft一annealing)见低温退火。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条